以CPU、OS和数据库为核心的技术是民族IT产业挥之不去的“痛”，但三十年河东，三十年河西，随着产业形式变化，事情迎来了转机。
不说操作系统开源和国产数据，在此应该重点关注一下CPU，核心技术是半导体制造。4月1日，英特尔最新发布了E5V4 处理器，其核心是采用14nm制程工艺技术。长久以来，光刻技术作为核心技术长期禁运。从材料、到工艺，国内长期处于落后状况，差距至少一代半。
半导体是一个投资巨大的产业，在每一个技术节点，都需要花费大量的资金。以28nm为例，其研发经费大致9亿～12亿美元，14纳米的研发经费估计在13亿～15亿美元。制造方面，建厂费用也更为高昂，对于28nm而言，一个基本的35000片的晶圆工厂，就需要花费35亿美元。这种巨大的投入对每一个企业来说，都是一个极大的挑战。
从历史的进程来看，130nm至少有20多个企业能够进入生产;但是到了65nm、55nm之后，拥有制造能力的厂商数量在快速减少。到了28nm，只有寥寥7～8家可以进入生产；到了14nm反而是代工企业为主进入研发生产。这就是实际情况。
但是随着经济实力的增强，我们有实力和能力弥补曾经的缺憾，甚至有实力实现弯道超车。从中芯国际代工厂的发展，到紫光国际、武汉新芯，动辄千亿元的投入，中国追赶世界的脚步不断加快。这些投入可以取得预想中的结果吗？
据报道，武汉新芯以3D NAND和DRAM生产为主，预计产能30万片/月，没有资料提及相关制程工艺的技术，但有可能具有20nm制程工艺的技术。
从技术上来说，要实现大存储器产业，针对NAND而言，从16nm提升到14nm，同样的Wafer晶圆，产量可以增加17%。如16nm工艺，每片12英寸晶圆，大约可切割522颗128Gb NAND 闪存芯片，即便增加17%的产量，受售价的制约，还是难以有赢利的。
如今，价格仍然是制约闪存替代磁盘的主要障碍，因此在市场需求的现实下，提升闪存售价变得不可行，闪存推广唯有不断降低成本/GB。3D NAND技术因此被寄予厚望。如今，三星、海力士、东芝、美光都在14nm～16nm，32层～48层的技术。与之相比，国内肯定会存在一定的差距。
对于国产半导体而言，所谓“弯道超车”可以作为理想，但最好不要做为现实的追求。毕竟，我们还需要技术的消化和经验的积累，从良品率，到技术的提升，这是一个循序渐进的过程。实际上，东芝、三星也是通过抓住DRAM、NAND的机会，逐步实现赶超的。
通过加大投入，通过人员的引入，技术的消化和吸收，中国会不断缩小差距。这就是巨额投入的意义。在这样的背景情况下，如果更多的强调投入产出，未免有些操之过急。所谓赚钱不一定是硬道理。没有投入就没有产出，但有了投入未必有产出，这就是中国半导体产业面临的风险。这些是必须承受的风险。
大存储产业，以3D NAND为核心的制造，存储产业升级换代的新时代，为中国半导体制造带来前所未有的机会。希望抓住这次难得的机会。
