为了大规模生产3D NAND，闪存行业还需要埋头做很多事情。Stifel投资公司总经理Aaron Rakers收集了许多财务投资数据，对NAND工厂和磁盘工厂的成本数据做了一个对比。
3D NAND制造工艺有多难
未来3D NAND将拉动闪存晶圆厂的投资，尽管在3D NAND在容量上比2D NAND有很大优势，但是他的制造难度也高了许多。
例如：平面NAND制作中电荷俘获NAND(charge trap NAND)需要3个沉积层(deposition layers)，而浮栅闪存则需要四个沉积层(deposition layers)。Rakers写道：“这么算下来闪迪/东芝48层128GB/ MLC 3D NAND晶粒需要144个沉积层，英特尔/美光256GB/ MLC 3D NAND 晶粒需要128个，三星128GB/ MLC 3D NAND晶粒需要96个。”
下图展示了三星3D V-NAND的制作过程;
三星3D NAND的复杂制程（点击查看大图）
Rakers认为随着芯片制程复杂度的提升，成品率将成为一个关注重点，同时建议厂商最好不要公开讨论类似一个晶圆中合格3D晶粒的比例这些问题。
3D NAND将继续增多
2014年，61EB的闪存存储介质中 3D NAND占了大约3%，这一比例将继续增长，Rakers表示，“Gartner预计2015年3D NAND将占 NAND闪存总产量约4%(2015年后将会达到6%上下)。”
闪迪预计：2018年，3D NAND会占晶圆生产行业的50%以上。
Rakers认为随着芯片制程复杂度的提升，成品率将成为一个关注重点，同时建议厂商最好不要公开讨论类似一个晶圆中合格3D晶粒的比例这些问题。
坚信“如果单一晶圆3D NAND 容量增加，3D NAND出货量将在2017年超越平面闪存。3D晶圆的产量(也就是每月初制晶圆安装基数)也会在2018年实现超越。”
各家都在3D NAND上投入巨大
三星，闪迪/东芝，美光/英特尔在3D NAND制程技术上的总投资超过180亿美元。
· 三星在中国西安新建的3D NAND芯片厂总投资超过70亿美元。
· 美光在新加坡Fab 10上花费了大约40亿美元，而希捷和西数在过去的3年以来总投入约为43亿美元。
如下图表中展示了磁盘上的总投资(希捷和西数在HDD上的投资就是所有人在HDD上的总投资)和NAND上的投资数额对比情况：
差异非常大
如上图：2009-2015年间每TB闪存和磁盘价格比在162和53倍之间，巨额投资和产品成品率问题让投资分析师在评估闪存制造未来收益时变得很艰难。
产品制作的困难和成品率会令这些公司的经营效益大打折扣，甚至还可能引起供应难题。
如今3D涅槃之路迷雾重重，距其得成正果还有很长一段路程。
