3月17日，三星品牌存储在中国五周年纪念日，五年前，带着令人印象深刻的470系列固态盘，三星品牌存储在中国市场上发力，五周年来临之际，三星品牌存储回顾了三星品牌存储五年的成长、五年的辉煌，也发表了对未来的展望。
三星在中国的这五年
记得在五年前传来三星出售磁盘业务的消息，从此集中精力在更擅长的闪存存储领域，过去这几年来闪存飞速崛起，闪存的价格可靠性，应用成熟度迅速提高。一方面智能移动设备大潮兴起，一方面闪存开始大规模进入企业级应用，进入数据中心应用，存储界围绕闪存的投资和创业越来越多，如此看来三星五年前就开始的转型比较有先见之明。
据贝叶斯统计，在2011-2015年里，存储卡市场规模进一步扩大，2015年三星存储占据了存储卡市场18%的份额，位居前列；SSD市场在2015年较去年有一倍的增加，而三星SSD则占据了23%的份额，占据整个SSD市场第一的位置。
三星品牌存储在中国的这五年，一个最大的关键词就是西安半导体工厂，2012年有消息称三星在中国投巨资建厂，2013年有消息称三星投资五亿美金在中国西安建厂，2015年，三星电子西安半导体工厂完成了封装测试生产线竣工投运，封装测试生产线竣工量产，此举标志着三星电子半导体生产领域全业态产业链在国内正式形成，三星存储产品从材料，颗粒、芯片、封装全部在这里完成。
据了解，今年1-8月份，三星电子西安半导体工厂已累计实现产值115.09亿元，突破百亿元大关，使中国成为继美国、韩国之后的又一个全球半导体产业基地。
三星闪存脱颖而出的关键——V-NAND技术
2013年开始，三星V-NAND技术开始见诸报端，2014年开始进入量产，三星开创了新的技术范畴，如今三星在该领域造诣颇深。什么是V-NAND技术呢？
三星V-NAND闪存采用垂直单元结构，不仅突破了具有平面架构的传统闪存在容量上的局限性，更能大幅提高产品的读写速度、耐用性和能效。V-NAND技术增强了闪存的耐用性、高性能和高能效，提升了固态硬盘市场的平均容量。
该技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计，我们可以通俗的理解成，在单位空间内，晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的，就好比在一块土地上盖房子，如果是采用平房结构，那么就会降低土地的利用率，要是采用楼房的形式，就会大大提升单位面积的利用率。
V-NAND技术广泛应用于三星的存储产品
950Pro
在消费级SSD领域，全新的950 PRO固态硬盘V-NAND 3D垂直闪存技术，并在消费级SSD中加入了NVMe主控，950 PRO采用PCI-e x4 3.0接口，512GB的连续读写速度可达2500/1500MB/s，随机读写可达300000/110000 IOPS。
950Pro
850PRO是世界第一款V-NAND产品，如今的850PRO、850EVO系列已经升级使用第三代 V-NAND技术，从32层升级到48层堆栈技术，单核心容量可达256Gb即32GB。与上一代的单核心128Gb容量的产品相比，第三代V-NAND不仅容量翻倍，功耗也有30%下降，在能效、速度、容量上都有显著提升。
闪存在企业级应用越来越多，三星的企业级闪存产品SM/PM 863也采用了V-NAND技术，2.5寸盘最多可容纳3.84 TB。在混合工作负载下有很高的随机IOPS、较低的延迟、更高的可靠性以及降低总体拥有成本 (TCO)，适用于内容分发网络 (CDN)、流媒体处理或 Web 服务器。
T3移动硬盘
在移动固态硬盘方面，三星存储新推出了T3，手掌大小的TB级存储容量移动固态硬盘。T3采用三星专有的垂直V-NAND技术和Turbo Write(非三星独有，但经过三星改良的写入加速)技术，保证了产品的先进性能，适用于普通消费者、内容创作者、商务人士以及IT专业人员。
在存储卡产品端，目前包含PRO Plus, PRO, EVO Plus 和 EVO 几大系列，存储卡产品在市场上反响不错，其中，PRO Plus存储卡，最高读取速度可达95MB/s ，最高写入速度达到90 MB/s。
在U盘产品方面，三星存储推出了全新的USB 3.0U盘，Bar、FIT和DUO。该系列U盘纤巧、精致，具备三个符合人体工程学设计的因素，而且每个U盘都采用强大的三星NAND闪存技术，可提供高达130MB/s的顺序读取速度。
渠道策略概况
2015年，三星存储在顺应市场规律与消费需求变化的前提下，对渠道体系进一步完善，在加强现有渠道合作的基础上，重点发力电商渠道，三星存储与电商渠道的深入合作。2016年，三星存储将持续加大与电商渠道的合作。
2016年，三星品牌存储将更加一如既往的加大技术研发力度，推动产品的创新。
