回溯到今年六月，Pure Storage发布了一款名为FlashArray//m的新型全闪存阵列——它们最新的全闪存主存储方案。这也是Pure Storage完成IPO之后首次发布的该阵列进一步信息，尤其是关于构成FlashArray//m的组件——整体架构，NV-RAM，PCIe非透明桥以及它的闪存模块。
在它的架构方面，Pure Storage表示即便它仍利用了商品化组件包括Intel CPU，DRAM Memory和标准SSD，但在新的阵列中已经把它们打包到了一个更小，更高密度的平台。这使得//m能够充分利用这些技术和密度/价格点目标。
Pure Storage在发布会上还表示它们已经设计了自身的NV-RAM盒适用于FlashArray//m，这相比FA-400系列内部使用的SLC SSD向前迈进了一大步，
该存储系统在跨//m阵列所有SSD平均分配数据之前将写入数据放入NV-RAM。利用NV-RAM在Pure称为FlashCare的作用下，促进基础SSD获得更长寿命。NV-RAM在存储阵列景观里并不常见，其他一些先前用到它的包括许多Nexenta部署。而历史遗留问题是极少有NV-RAM解决方案存在。STEC曾构建了一个称为ZeusRAM的固态盘，HGST继续沿用但数量极为有限，其他厂商发布这样的解决方案，也是限量并且价格相当贵。这就是Pure进行自我创新，拥有一个完全适用于//m阵列的客户解决方案的原因
此外，新的NV-RAM模块结合DDR3 DRAM和NAND闪存，两者由超级电容器支持。因此，位于超级电容器内部的储存能量可用于支持NV-RAM模块在突然断电情况下的供电耗损。Pure Storage的新闪存阵列配置了高达4个这样的热插拨模块，双归到两个控制器并且通过NVMe功能PCIe进行连接。
同时发布的还有FlashArray//m对非透明桥(NTB)的使用，一个点对点PCIe总线连接两个系统来提供两个子系统的电隔离。这也使得为确保高可用性所需的必要组件数量有所降低。Pure Storage声称这将意味着布线复杂性变小控制器之间本地性能的一个改进。
Pure Storage使用的闪存模块化设计还考虑到了一个新的中介层(interposer)——从SATA 转换到SAS并在每一个模块中为两个SSD提供接口。这不仅提高了容量，更实现了两倍数量的SSD控制器使得性能有了显著提高。SATA SSD的使用也帮助控制了//m成本。
