DOSTOR北京报道：全球最大规模的消费电子展“CES 2015”将于2015年1月6日-9日美国举行。在展会揭幕前夕，来自国际知名品牌，三星电子的多款产品荣获了本次展会的创新大奖；这其中就包括，世界最大容量，新一代4GB超高速移动DRAM(LPDDR4)，以及大幅提升使用便利性的1TB携带式SSD T1，另外还有保证最佳性能与使用周期的基于第二代全新32层3D V-NAND技术的850 PRO SSD等多款半导体产品荣获“CES 2015创新奖” ，均创下历史记录。其中，三星850PRO固态硬盘（SSD）获得该奖项可谓实至名归，全新的3D-V NAND技术的应用，使得该产品成为同行业中的领军产品。
“CES创新奖”由CEA于1976年设立。该奖由美国工业设计师协会(IDSA)和CEA专家联合授予。在此之后，三星电子将在举办“CES 2015”的美国拉斯维加斯会议中心设置大型展位，展示荣获CES创新奖的产品及在世界消费电子行业领先的其他产品与技术。
此次荣获“CES 2015创新奖”的三星850PRO固态硬盘产品，其采用的全新32层3D V- NAND技术不仅使得该产品拥有极高的读写速度，更能够为该系列产品提供更加持久的质量保证。
此前应用在SSD产品中的闪存芯片，所采用的2D平面型NAND技术是众多SSD厂商所使用的，该技术最大的瓶颈就在于，临近存储单元的堆放密度极限，如何在同等面积下容纳更多的存储单元成为了SSD升级面临的最大问题。由三星自主开发的32层堆叠，3D V-NAND技术的出现，完美的解决了这个问题；该技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计，我们可以通俗的理解成，在单位空间内，晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的，就好比在一块土地上盖房子，如果是采用平房结构，那么就会降低土地的利用率，要是采用楼房的形式，就会大大提升单位面积的利用率。
而且，三星全新的32层 3D V-NAND技术，可以垂直堆叠更多个存储单元，从而提高密度，降低碳足迹，并且还能可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度，使得该产品最快读写速度均在500M每秒以上。而且还使得32层3D V-NAND闪存的使用寿命，较之SLC闪存延长至两倍以上，全新的三星3D V-NAND技术使得全新的SSD产品的工作负荷大大提升。每天可应对40GB以上的超大容量，这样的工作负荷等同于写入150TB（TBW），确保了SSD具有更长的使用寿命；这也是三星850 PRO SSD产品能够在业内率先提供10年质保的最大技术保障。
除了在闪存方面的技术提升，三星850 PRO固态硬盘，在主控方面采用了三星全新研发生产的S4LN045X01-8030（MEX）主控制器，它属于ARM架构的三核处理器，具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。主要提高在算法设计和CPU的频率。与之前的300MHz MDX三核主控相比，850PRO的MEX主控的频率提高到400MHz。
此次三星存储产品以及其它多款产品荣获”CES2015创新奖“可谓实至名归，三星电子北美总括李宗錫 (Gregory Lee)副社长表示：“三星电子致力于为世界各地消费者提供全新的使用体验，消费者在‘CES 2015’现场将会看到三星电子的最新成果。”
作为消费者，相信三星电子产品，一定会在提高消费者使用体验方面做出更大的创新，同时也期待三星存储能够为每一位消费者提供更加完善，更加便捷的产品体验。
