全球内存市场三巨头三星、海力士和美光牢牢控制着90%以上的内存市场，不过也正是由于他们具有这么典型的行业寡头特点，所以任何风吹草动都逃不过外界观察和评论。
内存市场垄断局面有望被打破
据DRAMeXchange报道，全球内存市场供货量将降低，这将刺激内存厂商在2014年第四季度扩大产能。
2015年供给量将增长30%，如此之大的需求可能会对几大厂商的主导地位形成挑战，尤其是美光，问题主要在于出货量的给市场造成供大于求的局面，这在一定程度上缩小了制造商的利润空间。
如果美光的业务面临中断，这将对美光两大股东安硕费城半导体ETF(SOXX)和若Market Vectors ETF半导体(SMH)造成不利影响。
三星对美光形成的压力
2014年3月，三星开始大批量生产采用20纳米制程技术的动态DRAM。该技术的运用也将降低生产DDR3内存的制造成本，这将无疑将使得三星继续在业内保持优势。
如上图所示，三星是业内唯一一家表示其S3工厂将大幅缩减DRAM生产规模的公司。三星计划于2014年年底重启DRAM晶圆的生产，主要生产用于PC端的DRAM晶圆。2015年下半年，三星预计其S3工厂每月的DRAM产能将达到60k。
作为应对，美光和里还是都宣布计划扩大产能。现阶段美光的产量占据PC端DRAM整体的25%。如表中所示，美光正集中在高增长的，移动端的、服务器的以及网络市场。
20nm支撑技术具有经济性和能效性
三星宣称其生产的采用20nm工艺的4GB DDR3 DRAM比采用25nm制程的要高30%的生产效率，比采用30nm工艺的生产效率高出一倍。此外，20nm制程与25nm制程相比可节省25%的能耗。
美光现在生产DDR3 DRAM的生产工艺还停留在30nm，这在生产成本劣势很大。美光也非常热衷于从25nm制程迁移到20nm制程。2014年第二季度，美光的20nm制程的产品出货量超过50%。20nm的NAND闪存产品比25nm的生产成本要低很多，可显著减少生产成本。
三星率先在DDR3内存的生产中采用20nm技术将对美光形成很大压力。尽管美光在DRAM市场占据很重要的位置，但从价格和市场都面临着很大优势。
