增加层数和单位空间存储的数据量是三星V-NAND的发展方向，性能明显优于机械硬盘的前提下，容量上升价格降低是闪存推广的一大动力。
继2012年韩国推出首款SAS接口企业级固态硬盘SM1625之后，三星宣布将于近期推出下一代SAS固态硬盘SM1623。
29-20nm级的SM1625最大容量是600GB，而19-10nm的SM 1623将最大容量提升至800GB。以下是SM1623与SM1625的性能参数对比：
•随机读取IOPS – 120000(SM1625 – 101,000)
•随机写入IOPS – 26000(SM1625 – 23,000)
•顺序读取带宽 – 为950MB/秒(SM1625 – 848MB/秒)
•顺序写入带宽 – 为520MB/秒(SM1625 – 740MB/秒)
性能表现上除了顺序写之外都有少许提升，可见新产品并没有在性能上下太多功夫。另外，SM1623大概可承受一天完全写的耐久度。
三星在闪存峰会上多次谈论了32层V-NAND固态硬盘，并保证会在三个月内推出有更大容量的固态硬盘。三星32层的V-NAND 产品850Pro已经上市了，提供十年的保修期。与2012年的SM1625相比，两者都采用的V-NAND技术在可以允许单位空间存储更多的数据，提升存储密度降低价格。不过这两者都只是在单层上存储了2-bit数据，这32层每层存放3-bit数据就相当于2-bit时代48层的V-NAND产品。
三星表示未来还会继续增加层数，将来有可能会增加到90到100层，过几天我们可能会看到4TB的V-NAND SAS SSD问世。
三星V-NAND追求增加的层数和单位空间存储的数据量的增加，容量上升价格降低是闪存推广的一大动力。
