东芝和闪迪将联合生产3D NADA闪存芯片，新的芯片可以提高固态硬盘存储密度和性能表现.
3D NAND芯片为数据存储空间的提升提供了新的方式，预计将会出现容量超过1TB的嵌入式闪存，远远超过在智能手机和平板电脑目前使用的64GB闪存。
不同于传统法平面NAND技术，3D NAND堆叠了晶圆，它们阵列中垂直连接。
早在去年，三星就已经开始生产叫做V-NAND的3D NAND芯片。三星官方声称可提升2至10倍的可靠性和两倍的写入性能。三星的V-NAND采用CTF技术。可缩放20纳米级平面NAND闪存芯片达两倍以上。
三星将3D V-NAND广泛用用于消费电子和企业应用领域，包括嵌入式NAND存储和固态硬盘（SSD）的。这一技术的应用直接使得固态硬盘的容量从128GB升级到到1TB。
东芝公司表示，他们还将根据市场反映做生产商的调整。
