有一件事可能很多人不知道，Intel成立初期不是做微处理器的，而是主营SRAM、DRAM等存储芯片，只不过后来受到日本厂商的冲击，才果断转型，结果成就了一番霸业。
几番波折之后，Intel现在又有点重操旧业的架势。Haswell处理器中有部分集成了多达128MB eDRAM嵌入式缓存，既能辅助核显，也能作为系统四级缓存。与它相关的资料正在陆续披露，ISSCC大会上又进一步公开了更深入的细节。
芯片专家ChipWorks则从底层晶体管的角度，分析对比了Intel的这种eDRAM，发现其架构和其他同类技术有很大不同。
IBM已经使用eDRAM很多年了，45nm时代后更是成为Power处理器的标配，现在已经进入了22nm，但尚未有实际产品问世。
可以从凭借几个例子一探究竟：
IBM 32nm Power7+里边集成的eDRAM
台积电、瑞萨(NEC)也在为游戏机打造的芯片里使用eDRAM，比如微软Xbox、任天堂Wii，都是更传统的DRAM堆栈加玻璃杯形电容。
不同的是，台积电采用了CUB(cell-under-bit)堆栈，位线(bitline)在电容之上，瑞萨则是反过来的COB(cell-over-bit)。
台积电65nm eDRAM(微软Xbox GPU)
瑞萨45nm eDRAM(任天堂Wii GPU)
