2013年对于闪存技术来说是奇妙的一年，它在2013年获得了巨大的开发成果。
这是闪存技术积极发展的一年，闪存单元尺寸大幅减小，纯闪存阵列的数量越来越多，很多闪存厂商被收购，还有很多闪存厂商经过IPO或倒闭破产后又被打回原形，闪存/磁盘混合阵列供应商赚得盆满钵满。
想跟上这个潮流趋势并融入整个市场大格局就象是想越过尼加拉瓜大瀑布喝水一样。
从大批的产品和技术消息中还可以看出一些东西。这说明市场已经开始普遍接受这样一种观点，即访问I/O增强型随机数据最好还是利用闪存而非传统硬盘来完成，而且纯闪存阵列肯定是连网存储高频随机数据的最佳载体。 对于传输数据来说，传统硬盘与闪存一样好用，而且在单位容量价格上要便宜得多。传统硬盘阵列最适合用来储存近线、访问频率低的数据和大型文件。
苹果的MacBook Air已经配备了闪存
市场一致认为，速度超快、外形轻薄的笔记本电脑需要闪存来实现最佳性能，平板电脑也是如此。但是也可以使用2.5英寸的混合硬盘，厂商们已经开始建议用户们配备混合硬盘，用闪存储存访问频率高的数据，而用价格相对低廉、大容量的传统硬盘储存访问频率低的数据。
我们将在随后的文章中讨论商业方面的事务，但是现在只谈闪存技术研发方面的事情。
没有太多的三层单元（TLC）
我们在2013年并没有看见三层单元（TLC）NAND被广泛应用到企业应用之中，TLC闪存的速度比较慢，写耐久程度相当短。闪存生产厂比较喜欢生产单级单元和多级单元（SLC和MLC）产品，因为这些产品的需求更大，投资回报率相对更高。 TLC闪存仍然主要被应用于U盘、照相机闪存存储卡等应用。
现在闪存市场还有一个变化趋势，即由2X（29纳米至20纳米）技术工艺向1X（19纳米至10纳米）技术工艺升级。 例如，东芝现在就在建设19纳米生产线。NAND产品的外形尺寸越小，每块硅片上能够安装的NAND闪存芯片就越多，从而降低单位存储容量的成本。 然而这个趋势还没有在整个行业内发生，美光科技正在向20纳米迈进，预计今年会开始使用16纳米工艺试生产。
逐步提高到3D NAND
业内人士之前预计会发生但是到现在为止都还没有发生的一种情况是：非易失性技术将取代闪存技术。业内人士普遍认为，闪存技术也许无法在15纳米或更先进的工艺条件下开发出能够满足写耐久性要求的企业级闪存存储产品。 相变存储（PCM）和各种阻抗RAM比如惠普的Memristor都仍是未来的技术，3D NAND技术通过在一块闪存芯片上安装更多的闪存层级而提高了闪存的容量。
3D NAND原理图
美光科技预计3D NAND生产样品会在2014年中期之前出货，最早可能会在4月份。但是量产至少要等到2015年才有可能实现。三星已经发布了其3D-VNAND技术，但是今年可能无法投入实际生产，而且现在三星还没有开始接受有关订单。
Objective Analysis的分析师Jim Handy在其Memory Guy网站上发布了一系列3D NAND技术图纸，分析了那项技术以及各家厂商的计划。
固态硬盘迎头赶上
固态硬盘在过去一年保持着稳步地增长，固态硬盘技术越来越成熟，NAND密度的增长使得这项技术能够适用于越来越多的产品和价格区间，配备12Gbit/s SAS接口的产品也开始在市场上亮相了。
这里还有一些亮点：
• STec在1月份推出了一款2TB的SAS固态硬盘s840，
• 美光科技推出了很多固态硬盘产品，比如它升级了P400M SATA固态硬盘，给该产品配备了一个6Gbit/s的SAS接口。
• HGST在4月份推出了12Gbit/s SAS接口的SDD（SSD100MR）。
• HGST SSD 1000MR
• Plextor之前曾宣布它将在1月份的CES展会上展出一款TLC SSD，但是后来又在6月份放弃了那一计划。
• SMART在5月份宣布推出了一款2TB的固态硬盘。
• 希捷在5月份宣布推出了一组3款固态硬盘，其中两款配备6Gbit/s SATA接口，一款配备12Gbit/s SAS接口。
• 三星宣布推出一款1.6TB的固态硬盘，带宽为3GB/s。
这都是一些循序渐进的升级产品，没有令人眼前一亮的重要升级。固态硬盘表现得颇有些不愠不火。
混合硬盘抢进硬盘市场
采用闪存与磁盘技术的混合硬盘产品数量正在稳步增长，这类产品通常配备了一小块闪存高速缓存（通常不超过24GB），上面安装了一些固件，用来检测访问频率高的数据并将它们转移到闪存上面。
例如，希捷在去年5月份推出了一款Desktop SSHD，该产品配备了2TB的磁盘和8GB的闪存高速缓存，那也是它推出的第三代混合硬盘产品。希捷已经将Momentus XT混合硬盘的品牌名称更换为Laptop SSHD。它随后又在去年6月份宣布推出了一款10K的2.5英寸混合硬盘，那款硬盘配备了16GB的闪存，IBM已经将那款混合硬盘应用到它的某些服务器产品之中。
但是改革正在来临。西部数据旗下的HGST在去年6月推出了一系列Fusion风格的独立固态硬盘和传统硬盘。 12月，西部数据宣布了它的Black 2 Dual Drive，其中包括1TB传统硬盘和120GB固态硬盘。
出人意料的是，那两款设备是作为两个独立的存储资源而非一个统一的存储池展示的。目前还不清楚是否还有其他的硬盘厂商也会使用这项技术。
服务器闪存DIMM
闪存技术开发在2013年还得到了一项巨大的成果。SMART Storage宣布，它已经利用Diablo Technologies专利技术将闪存芯片应用到了内存DIMM类型的模块之中，因此将服务器内存总线的访问延时降到比PCIe闪存更低的水平。
因此，廉价的闪存可以被当做整个服务器内存系统的一部分来使用，发挥着存储器内存的作用。它可以让工作区数据被储存在价格比DRAM更低廉、访问速度比PCIe闪存更快的内存-NAND闪存、连网闪存阵列和网络硬盘阵列中。 这看起来都很有发展前途。
那些技术从去年4月份开始被公开发布。SanDisk在7月份收购了SMART，随后加拿大内存访问技术供应商Netlist对SMART和Diablo提出起诉，指控后者窃取了它的DIMM技术并用于生产闪存DIMM ULLtraDIMM产品。
那项诉讼的有关文件称，IBM正在开发使用ULLtraDIMM产品的X系列服务器。其他的服务器供应商也许已经被叫停，然而那件案子已经结束了。
PCIe倍增
PCIE闪存卡供应商的数量比以前增加了好几倍，几乎每一家厂商都想在服务器应用闪存加速市场分一杯羹。去年3月，服务器应用闪存加速市场上的厂商包括EMC、Fusion-io、IBM-TMS、英特尔、美光科技、LSI、OCZ、三星、希捷-Virident、sTec、SanDisk和Violin Memory。这个市场必然会有一个优胜劣汰的过程。 去年这个领域发生的一些值得关注的事情有：
• STec在1月份推出了一款2TB的s1120PCI闪存卡
• HGST在4月份推出了12Gbit/s SAS接口的固态硬盘
• HGST SSD 1000MR
• Fusion-io在去年4月份表示，其PCIe闪存卡技术可以实现960万写数据IOPS，这是一个惊人的数据。
• Violin Memory在6月份推出了它的Velocity PCIe闪存卡
• Virident在9月份宣布推出了4.8TB的FlashMAX闪存卡。
这简直就是一个“速度与馈送”的开发历程，但是从整体上来说，PCIe闪存硬件并没有发生实质性进步。
有些厂商宣布推出了高速缓存软件，但是实际上，只有Fusion-io和Virident拥有能够将PCIe闪存作为存储内存使用的软件。而且据我们所知，现在还没有一家厂商将它作为一项标准来使用。
PCIe闪存卡技术去年的表现都很平淡，没有取得实质性研发成果,只有以下两款产品值得一提：
• 西部数据的Black 2混合闪存硬盘
• SMART Storage的Flash DIMM。
到目前为止，这两款产品都是独立的技术研发成果。至于它们是否能够得到广泛应用，还有待进一步观察。
但是闪存供应商们的业务问题并不象收购那样简单，有些供应商迎来了它们发展中的拐点。
我们将在文章的第二部分讨论这些NAND消息。
