SLC
传统上，每个存储单元内存储1个信息比特，称为单阶存储单元(Single-Level Cell,SLC)，使用这种存储单元的闪存也称为单阶存储单元闪存(SLC flash memory)，或简称SLC闪存。SLC闪存的优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长。然而，由于每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产。由于快速的传输速度，SLC闪存技术会用在高性能的储存卡。
MLC
多阶存储单元(Multi-Level Cell,MLC)可以在每个存储单元内存储2个以上的信息比特，其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶(即多个电压值)，如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特，MLC闪存可降低生产成本，但比起SLC闪存，其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较低，因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡。另外，如飞索半导体的MirrorBit®技术，也是属于这一类技术。
TLC
三阶储存单元(Triple-Level Cell,TLC)，这种架构的原理与MLC类似，但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢，寿命也比SLC和MLC短，大约500~1000次。
