4月11日，三星电子表示，从上个月开始，已全面量产高性能10nm级（1nm为10亿分之1m）128Gb闪存。128Gb 3bit MLC闪存是目前储存半导体中容量最大的产品，三星电子通过量产128Gb 3bit MLC闪存，将全面扩大大容量内存及SSD市场，并快速推进64GbMLC市场的升级。
自去年11月初，三星电子便开始大批量生产10nm级超高速64Gb MLC闪存；不到5个月，在容量上扩大至两倍的10nm级128Gb闪存产品又得以量产，三星电子此举进一步巩固了自身在eMMC，SSD等业内最大的大容量内存阵营的地位。
128Gb闪存是业内最高水平的大容量高性能闪存产品，它采用了以10nm级3bit MLC为基础的Toggle DDR 2.0高速用户界面，（*Toggle2.0：相比普通闪存速度加倍的超高速闪存规格）即使与20nm级64Gb MLC闪存相比，10nm级128Gb 3bit 闪存产品的生产率也提高了2倍以上。
2010年，三星电子就已在世界上首次大批量生产了20nm级64Gb 3bit MLC闪存产品，随后搭载去年9月推出的840 SSD系列产品，大幅扩大了250GB以上的大容量SSD市场，并进一步加快了大容量内存储市场从20nm级64Gb MLC升级到64Gb 3bit的进程。
今年，128Gb 3bit MLC闪存产品不仅将确保扩大128GB内存市场（能够保存8GB FULL HD 16篇），而且很有希望全面扩大能转变HDD（Hard Disk Drive）市场500 GB以上的大容量 SSD市场，并同时推进SSD大众化时代的提早到来。
三星电子存储器事业部战略营销部全永铉副社长表示，“通过此次高性能128Gb 闪存的量产，将持续强化三星产品在大容量存储器市场上的产品竞争力。未来，我们将适时推出新一代更高品质的存储产品，积极应对全球客户日益增长的存储产品需求。”
未来，三星电子将领先推出新一代以3bit MLC闪存为基础的大容量SSD以及内置存储设备和差别化的解决方案，从而持续保持技术竞争力的优势，并主导高端存储市场的成长趋势。
