北京， 2012年4月27日 —— 全球领先的电子和能源行业半导体材料生产制造商 Soitec (Euronext)今天发布了其从28nm到10nm工艺的全耗尽(FD)硅技术的发展蓝图。如今，芯片制造厂商竞相开发下一代高速节能的处理器，然而这些海量开发投入还是无法充分满足市场需求。Soitec的FD解决方案被公认为能够将改善硅芯片性能表现，从而带来更优秀的客户体验。与其他方法相比，Soitec FD产品线令半导体生产商能够以最高效、可负担的方式部署全耗尽技术，进而更快速地生产富有竞争力的产品。 对于移动用户市场，这一技术使得新颖的移动设备以更低的功耗为用户带来全新体验。该项技术的发布无疑为整个半导体行业提供了一种能够以低成本加速研发高性能、低功耗处理器的方法，继而推动下一代移动与消费电子的发展。Soitec 将与其合作伙伴紧密合作，推动该项技术在业内的普及并满足行业需求。
国际商业策略公司(International Business Strategies)的创始人兼首席执行官Handel Jones认为：“新技术的出现都必须面临自己独特的挑战。我们现在正处在转折点上，因为半导体行业无法单纯依靠传统制造的CMOS方式解决当前的问题。仔细观察业内的发展趋势不难发现，每一家制造商都有自己全耗尽产品的发展规划。而相比其他，Soitec所提供的解决方案能够让芯片制造商生产出功耗更低、性能更高以及成本更低的解决方案，颇富吸引力。
当下半导体产业所面临的主要挑战在于不平衡的成本收益率，倾注了高昂的研发经费后，性能、功耗和单个晶体管成本改善却极其有限。面对如此压力，半导体制造业亟需全耗尽技术的解决方案。Soitec FD系列产品预先集成了全耗尽晶体管的关键功能，能够带领芯片生产商们逐步过渡到全耗尽技术。由于产品全面兼顾了二维和三维(FinFET)晶体管，所以Soitec的该项技术能够在新一代处理平台的研发有效地节约大量成本，提升处理器性能。
Soitec总裁兼首席执行官André-Jacques Auberton-Hervé表示：“智能手机和平板电脑的销量日新月异地增长，消费者在每12个月到18个月的周期内就会产生对更新更好的用户体验的需求，这使得围绕性能与电池寿命的创新成为制造商最具竞争力的优势。传统的CMOS科技已经颓势尽显，要在竞争中抢得先机，制造商必须要突破现有科技的限制，独辟蹊径。Soitec现有的技术能在经济的基础上实现高性能、低功耗，并且让芯片制造商能够不断将愿景中的设计转化成实际的产品。”
