DOSTOR存储在线 2月27日国际报道：SanDisk与东芝联合开发最小的128Gb NAND闪存芯片。该芯片使用3比特多层单元设计(TLC)和19纳米制程。
该芯片只有170.6平方毫米面积，是SanDisk的第五代TLC技术。它使用所谓的全比特线(ABL)编码和SanDisk白皮书中所描述的许多技术来达到18MB/秒的写入速度和400MB/秒的toggle-mode(切换模式)接口速度。
例如，该白皮书写道：
“在我们的第一代X3中，我们达到了8MB/秒的写入性能。19纳米制程让我们的性能提升许多。流程和单元结构上的改变，比如Air Gap(空气间隙)，可以弥补一些损耗，但是这还不够。在这个设计中，我们采用了16KB页面大小并将性能提高一倍;采用温度补偿机制来实现10%的性能提升;使用一个增强的3步骤编码来将FG(浮动门)-FG耦合降低95%。这些设计特点和流程/结构上的变化让我们在19纳米技术节点上可以达到18MB/秒的速度。”
该芯片已经量产。SanDisk表示使用该芯片的产品已经在2011年底开始发售——尽管它没有说是什么产品。兼容MicroSD的64Gb版本的芯片已经开发出来并已经开始准备生产。
该公司表示它的128Gb TLC芯片在一些应用上有足够的性能来代替2比特MLC芯片，并清楚地暗示是在智能手机、平板电脑和SSD(固态驱动器)领域。
这款芯片的成本经济性也是一个大家关心的问题。一款128GB容量的SSD如果采用128Gb TLC芯片的话就会比使用2比特芯片的SSD明显便宜许多，因为使用TLC芯片就不用那么多个芯片了。
不过比起MLC，TLC的耐用性，也就是写入周期，要差很多，差不多要低五倍以上。SanDisk没有披露它的耐用性。这是一个不好的信号。我们可以想象在3比特产品上要进行许多过量配置，因此相比2比特产品的成本优势会被抵消许多。
在SanDisk和东芝披露使用它们的TLC芯片的实际产品之前，我们不知道耐用性统计数据，也不知道要通过多少过量配置——尽管会损失成本优势——来达到可接受的耐用性水平，也不知道会用什么样的更好的控制器技术来在TLC单元接近工作寿命之前将可用数据提取出来。
被苹果收购的控制器公司Anobit表示它的单处理技术可以让TLC闪存的工作寿命和MLC闪存一样。如果控制器技术和过量配置可以为TLC NAND SSD以及其它闪存驱动器格式(比如PCIe卡)提供可接受和可承受的耐用性，那么未来6到8个月内随着TLC产品的上市，我们将看到闪存产品的容量将有一个大的提升。
SanDisk和东芝在2月22日旧金山举行的国际固态电路大会(ISSCC)上畅谈它们的小型NAND芯片技术。在此之前，OCZ已经在CES 2012(国际消费者电子展)上展示了一款TLC驱动器。英特尔和美光也有TLC技术，很有可能将在今年晚些时候推出20纳米制程的TLC芯片。三星也一样。闪存市场将在未来几个月内出现许多TLC产品。
