DOSTOR存储在线 12月14日国际报道：Hynix在闪存市场上的排名位于三星和东芝之后。该公司试图通过一种NAND制程比前两家好20%的技术来夺取市场份额。
根据iSupply的数据，Hynix在2011年第二季度的NAND市场上仅有13.5%的市场份额。三星拥有41.6%的市场份额，东芝拥有28.7%的市场份额，美光拥有16%的市场份额。
闪存芯片成本中一个重要的部分就是从一块晶圆中可以切割的晶片数量。晶片尺寸越小，晶圆可切割的晶片就越多。这意味着手持智能互联网连接设备，比如手机和平板电脑以及超薄笔记本，可以在它们有限的空间中拥有更大的存储容量。
目前，NAND工厂已经在向30纳米制程以下的工艺转移，最先进的是20纳米工艺。美光已经和三星一样开发出20纳米制程，而东芝则更上一层楼，开发19纳米制程工艺。
Hynix则超越所有这些厂商，开发15纳米制程工艺，比东芝的19纳米制程还要小21%。上周，Hynix在华盛顿的国际电子设备大会(IEDM)上描述了它的工艺。Tech-On和其他媒体发表了Hynix在IEDM上提供的细节。
Hynix表示15纳米制程在位线和字线方向上有问题。字线用于控制闪存单元的访问，位线用于在读取和写入操作中传输数据。在字线方向的位线之间有干扰。通过在与字线平行的方向上提高控制栅面积和浮动栅宽度，Hynix将这种干扰效应降低到了五分之一。
在位线方向上，浮动栅在写入数据的操作中也有越来越高的电荷泄露风险。通过提高相邻字线之间的绝缘空气间隔(如上图)可以解决这个问题。Hynix同时还将与正在写入的字线相邻的字线的电压提高了2伏左右。这样可以减少漏电风险并提高写入速度。
Hynix表示它的15纳米技术适用于2比特多层单元NAND。如果该公司可以规模化生产它的15纳米技术产品，那么它的NAND晶片生产成本就可以明显低于竞争对手，从而可以降低价格和/或提高利润。
Hynix将告诉智能手机、平板电脑和超薄笔记本提供商说它们可以利用Hynix的15纳米NAND在同样的物理空间内实现更大的闪存存储容量。
