DOSTOR存储在线 10月11日国际报道：IBM同Crocus Technology签署协议，希望能够推动它的MRAM（磁阻随机存取记忆体）闪存。这次合作对IBM在赛道记忆体（racetrack memory）上的研发会有何影响还不明朗。
Crocus Technology是磁阻记忆体的开发者，并且已经设计了一种热辅助磁逻辑单元（MLU）。这吸引了IBM的兴趣。两家公司签署了合作协议，共同开发一种将MLU和IBM MRAM结合在一起的半导体技术。
这份合同包含专利授权：IBM和Crocus将共享专利，以便双方可以协同将磁记忆体技术整合到芯片上。
IBM Quantum Computing and Exploratory Magnetic Memories（量子计算与开拓性磁性记忆体）部门高级经理William Gallagher表示：“这次联合开发和专利授权协议进一步体现了IBM长期以来致力于通过合作实现创新的努力。”言下之意：我们没法单独完成。
MLU技术可以改善IBM的MRAM.一个MRAM单元是一个磁通道联合（MTJ）–两个磁层的一个边上有一个绝缘层。第一个磁层的磁场方向是固定的，第二层的磁场方向可以和第一层一致也可以和第一层相反。
不同的磁场方向会带来磁阻的变化，也就是说我们可以根据高磁阻和低磁阻来定义二进制的0和1信号。
Crocus MRAM:所存储的数据根据磁通道联合的磁场方向变化而变化。
MLU技术可以帮助IBM和Crocus构建更小的MRAM单元–减少至90纳米或更小–提高存储密度。它为所存储的数据提供了更大的稳定性。Crocus表示它的MLU:“开启了在磁记忆体中部署NAND设置的大门，此前这种做法只可能在闪存记忆体技术上实现。MLU NAND记忆体单元的密度可以是传统磁性记忆体的两倍到4倍，同时可以完全地随机存取。”
Crocus Technology的执行主席Bertrand Cambou表示：“MLU有潜力代替SRAM、DRAM、NAND、NOR和OTP等许多独立的和嵌入式记忆体产品。由于MLU的NOR、NAND和XOR能力是构建在单晶圆制程的基础上并采用不同的设计架构，它们可以很容易地整合进片上系统（System-on-Chip）。
Crocus之前曾说过将在芯片制造合作伙伴TowerJazz Seminoconductor那里批量生产130纳米制程的MLU产品，在俄罗斯子公司Crocus Nano Electronics（CNE）那里生产90纳米、65纳米、45纳米制程以下的产品。Crocus表示该公司计划在CNE生产基地那里部署与IBM联合开发的制程技术。
IBM表示它的”MRAM技术相比其他竞争性技术而言有很大的优势，包括低能耗、高速度、无限耐用（读取和写入）、内在的非易失性–这意味着数据可以在电力丢失的时候也能保留。MRAM有潜力支持‘即时启动’计算机，为移动计算设备提供留出更多的电池使用寿命。“
在我听来，有点像是赛道记忆体。除了这个与Crocus合作的MRAM以外，IBM的Almaden Research Centre研发中心也在开发赛道记忆体。后NAND时代记忆体技术之争正激烈，不一定谁会胜出。IBM知道这一点。
