DOSTOR存储在线 7月13日国际报道：尔必达需要募集接近10亿美元资金才能转型为生产智能手机和平板电脑记忆体的公司并更少地依赖于个人电脑DRAM（动态随机存取记忆体）。来自DRAM的收入低于这个需求，因此尔必达将发行新股和可转换债券以支持这次转型。
这可是一大笔钱——9.98亿美元或796.7亿日元——投资者担心股票会遭到稀释。也许他们更应该关心尔必达的生存问题。尔必达已经是日本仅剩的DRAM制造商。
尔必达的一份声明表示DRAM行业面临着重大变革。它需要缩小生产制程，关注硅通孔（TSV）记忆体，研究新记忆体技术，转向智能手机和平板电脑记忆体市场。
该公司的广岛工厂将配备30纳米和25纳米制程DRAM生产设备。这样可以从一块晶片中生产更多的记忆体芯片，从而降低记忆体成本。
该工厂还将安装新的TSV生产线。在TSV记忆体中，堆叠的记忆体芯片之间有垂直连接，可以在记忆体单元层之间实现通信。
TSV技术也得到了美光的采用。美光记忆体系统开发副总裁Dean Klein在汉堡举行的ISC（国际超级计算大会）上描述了该公司的复合/管记忆体：“3D DRAM通过数千个硅通孔垂直连接进行互联。”
他认为这项技术可以提供高性能和数百GB/秒的带宽。
Klein表示：“高性能计算配置中的每个CPU都可以有一定量的复合记忆体，拥有非常低的延迟性和很高的带宽。”
他还提到了20倍的DDR3带宽。
Klein表示他预测未来HPC（高性能计算）将有一个记忆体层级架构，从Hybrid Memory（复合记忆体）开始，然后到DDR4 DRAM，然后到相变记忆体（PCM）层，然后是NAND，最后是机械式磁盘。
Klein表示每个DIMM（双列直插内存模块）中的每个DRAM部分都被激活并接受来自一部分DRAM的32比特数据。如果使用的是Hybrid Memory Cube，你只需要激活承载你所需要的数据的那部分DRAM，这样，你不仅节约了电力，“速度也快许多”。
第三，尔必达还将把资金投入研发部门以开发新记忆体技术和下一代制程。
这些技术将取代或增强现有DRAM，可能是后NAND技术，比如FE-RAM（铁电存储器），Memristor（忆阻器）或PCM（相变记忆体）。虽然这些技术都没有到生产阶段，不过PCM和忆阻器技术已经取得了可喜的进展。
第四，尔必达将偿付一些长期债务。
现在的问题是尔必达正在丢失传统DRAM的市场份额，同时有没有足够的利润来支持必要的转型来与海力士、美光、三星等竞争对手竞争。这些公司的动作要比尔必达快，他们正在进入多层、多技术和后DRAM时代。
尔必达的计划是：在更小的制程上制造记忆体，减少DRAM成本；采用TSV技术来增加记忆体芯片容量，提高能效和速度；开发下一代记忆体技术，以便适时取代普通DRAM。
这三个计划也有可能无法带来如期的效果，到那时候尔必达就必须通过兼并收购来自救了。
