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VMAX融合闪存与SAS EMC走向双层存储

NetApp的CEO Tom Georgens是对的,你只需要两个存储阵列层,EMC正在朝着这个方面发展——VMAX将融合闪存和SAS磁盘。

VMAX在2009年推出,当时正是技术革新的成熟时机。而现在VMAX有望加载SAS硬盘,EMC企业级存储事业部总裁Brian Gallager对此表示:“此事一定能实现,我能担保,但这不是标准规格,而关乎于FAST。” FAST是EMC用于分层阵列的自动数据迁移技术。闪存也将在VMAX中发挥重要的作用,其目标是具有SAS接口的二级阵列,这将是一个容量更大的SAS数据系统,而非SATA系统。Gallagher还表示,NetApp将跟随EMC的发展脚步。

重复数据删除

Gallagher预计在中期内,VMAX仍需要三层存储,但最终将只剩下两层。一些体积大容量大的SAS盘将通过降速节约能源,用于保存访问频率低的旧数据。这种降速盘上的数据将被重复数据删除,或许是由Data Domain实现,或者由Avama实现;Gallagher并未指明。不管怎样,EMC都会给用户提供一项选择:Avamar通常用于内部和原始数据的重复数据删除;Data Domain用于后期处理的重复数据删除。

对于一次写入多次读取(WORM)硬盘,而Gallagher表示:“短期内不会出现。”

基准测试

我们将看到EMC提供的VMAX SPC基准测试结果。Gallagher认为,SPC-1标杆作为一种测试手段是很好的,但不能反应真实的VMAX,以及其他高端阵列部署,及快照、复制等等。

Gallagher称:“EMC最近将再度参与SPC测试,我们将进行VMAX SPC基准测试。”这说明EMC已经了解由IBM六节点/双DS8700阵列系统创下的380800或SPC-1 IOPS记录,以及最近TMS RamSan-630系统的领先成绩400000 SPC-1 IOPS。据推测,EMC会进入SPC-1测试的最高阶段,其成绩有望超过500000 IOPS。

EMC将与其他厂商一起促进SPC基准发展,以实现更好的反应真实的、高端阵列部署,或许我们可以将其称为SPC-3。

而关于SAS背板的可能性,Gallagher表示:“我们认为背板已经属于过去时。”今天,FC(FCAL和FCESW)和SATA线路即将出现在磁盘阵列外部设备(DAE)中,而明天,可以说SAS线路将出现在DAE中,或者SAS会用于整个引擎,亦或是使用InfiniBand。Gallager并未透露会采用哪一种,因为EMC还没做好决定。

Gallagher表示,VMAX刚刚增加了FCoE支持。Gallagher预计,高端客户可能会选择将其存储网络以太网通信分离开,但中端客户将继续进行网络融合。EMC现在还不会只推FCoE,而是继续满足客户之需。Gallagher可能认为FCoE是未来的发展方向,只是过渡还需要时间。

VMAX的未来在于闪存和SAS。驱动器数量必然会降低,因为闪存要替代大部分硬盘驱动器,而该存储系统的容量将会增加。最后,让我们一同期待集成了闪存和SAS的VMAX的到来吧!

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