DOSTOR存储在线8月18日 编译：英特尔和美光公布了他们的3-bit MLC（多层单元）产品样片，透露出了英特尔企业级MLC闪存发展路线。
这两家公司都是应用25nm处理技术并且都是针对高速闪存卡市场。相比英特尔和美光64Gb MLC 产品，3-bit MLC闪存尺寸缩小20%，其核心面积仅为131平方毫米。他们声称这是当今世界上体积最小，密度最高的闪存卡。
MLC闪存被看作是打开闪存市场的金钥匙。但它也有严重的缺点，MLC闪存与昂贵的SLC（单层单元）闪存相比速度慢、持续能力差。随着时间的推移，人们发现了可以用额外的数据单元来弥补MLC的缺点。
现在，更好的控制器已经被设计出来了，它可以增加读写次数并且提高MLC性能。就在今天STEC公布了针对这些问题的CellCare技术和S.A.F.E技术。美光也提到了Nimbus Data在存储系统中应用了企业级闪存，同时，英特尔也要推出企业级X25- E产品。
闪存的存储数据单元越多价格就越便宜，因此在这方面3-bit MLC比2-bit MLC更具优势。
英特尔与美光表示，在二月他们把25nm处理技术应用到了2-bit MLC产品样片中。在去年八月，他们把34nm处理技术和USB thumb 驱动应用到了3-bit MLC产品样片中。6个月过去了，现在他们重新设计3-bit MLC 样片，看起来像是要进行实质性的产品改进。
现阶段，英特尔和美光有可能拓宽了企业级3-bit MLC产品技术。但谁又知道呢，他们的开发工程师还有可能破坏了技术核心。
