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另类固态硬盘:单通道读写性能创纪录

现在固态硬盘的速度越来越快,不过它们往往都是依靠多通道合力完成的,而加拿大渥太华厂商MOSAID近日推出了一款新的固态硬盘产品原型,在单通道读写性能方面创造了一个新纪录。

这种固态硬盘原型基于MOSAID、Indilinx(Barefoot控制器开发商)合作开发的创新型闪存架构和界面“HyperLink NAND”(HLNAND),单通道读取性能213MB/s、写入性能130MB/s。相比之下,目前的第二代固态硬盘需要八个或更多通道才能达到这种水平。

HLNAND固态硬盘原型采用3.5寸规格外形,功能完整,接口SATA 3Gbps,集成了Indilinx提供的FPGA封装主控制器、PCB主板,MOSAID提供的HLNAND闪存芯片,由两个64GB HLDIMM模块组成单独一个通道,每个模块又包括八颗多芯片封装(MCP)的闪存芯片。受原型设计限制,HyperLink通道时钟频率从133MHz降低到了75MHz。

MOSAID表示,今后的量产零售版本将会使用FPGA或者ASIC封装控制器、八个通道、133MHz全速通道频率,读取和写入性能将超过1TB/s。

MOSAID表示,HLNAND固态硬盘主要面向追求高性能、大容量存储的领域,比如桌面工作站、计算和企业环境、轻型编写设备、游戏设备、外置硬盘等等。

MOSAID已经开始向半导体供应商、封装和模块供应商、产品制造商、系统集成商提供64Gb HLNAND NAND闪存芯片、64GB HLDIMM模块的制造授权,其工程师团队也同时提供全力支持。

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