美光正在出样其新的闪存样品，这一新产品可以比其它的闪存芯片具有更多的数据写入次数。
美光表示，这一新产品叫做Enterprise NAND，其使用了34纳米技术构建。这一新产品拥有一个新的16Gbit的单级单元（SLC）片基，其可达到30万次的写周期。美光表示，这一数字要比通常我们所谓的标准NAND芯片高出三倍。使用这一芯片，可以生产出16GB的NAND单元。
同样还有一个2-bit的多级单元（MLC）片基，其具有32Gbit的容量和30万次的写周期。据称这比标准的MLC NAND芯片多了6倍。使用这款MLC的产品可以生产出32GB的单元。
美光表示，这两个芯片都支持ONFI 2.1同步接口。
固态硬盘（SSD）控制器初创厂商SandForce在美光新产品发布的同时给予了高度赞许，SandForce称"非常高兴能与美光合作，使得具有成本效益，可靠，高性能的固态硬盘解决方案能够满足企业对生命周期的严格要求"。这意味着美光科技公司和SandForce正在协作产生完整的NAND闪存驱动器或模块。
在7月份，美光曾表示，要制造PCI-e连接的闪存卡，在这方面IDT利用其PCIe和存储器接口技术也参与了其中（ 《美光科技与IDT展开合作 进军PCIe固态盘市场》 ）。目前看起来这款卡产品要使用SandForce的控制器了。
美光正在推出新产品的芯片样品，其定于2010年初全面上市。
