SanDisk和东芝两家公司似乎有意扩大合作范围，根据来自美国证券交易委员会(SEC)的一份文件，双方计划合作开发某种能重复擦写的3D存储芯片。
在SanDisk提交的一份文件上写着，SanDisk和东芝"将贡献并交叉授权所有关于3D协作的技术专利，并且将联合进行研发。作为双方知识产权授权协议的一部分，SanDisk将从东芝获得一定数额的授权费用。"
东芝与SanDisk合作开发NAND闪存已有多年时间，目前正在研发一种每个单元可存储3位数据(three-bit-per-cell,x3)的技术。市场研究及顾问公司Forward Insights总裁Gregory Wong表示，这种三维技术面临的困难不少。"四层的3D读写存储芯片至少要在生产工艺上追得上NAND闪存，才具有竞争力，这至少需要三、四年时间。"Gregory Wong说。"其他问题还有8层堆叠是否能大规模量产。2003年Matrix大会上曾经展示过0.25微米的8层堆叠产品，但用最尖端技术生产8层堆叠芯片是另外一回事。"
韩国海力士(Hynix)半导体和三星电子也在各自加紧开发x3 NAND闪存，其中海力士在6月4日宣布开发出了一款采用three-bit-per-cell技术的32GB NAND闪存。
