硬盘大厂富士通(Fujitsu)发布了具有纳米孔排列纹路的碟片技术。
富士通于2007年一月发表了一项Terabit/in2的技术,对于未来2.5寸硬盘容量的扩充有突破性进展。当时主要是提出单轴对齐以间距25纳米的纳米孔排列纹路的碟片,以达到Terabit/in2的记录密度;而现在富士通建立创新的制造过程,成功地将每个独立的位元记录在纳米孔排列纹路的碟片上,而且达到将磁头飞行在旋转的磁片上,并且能对每一个纳米孔作基本的读写。
具有纳米孔纹路的碟片是利用现有的加热技术,以纳米平板压印、阳性氧化物和钴电极形成100纳米间距密度的纳米孔纹路碟片,适合于现阶段垂直磁记录(perpendicular magnetic recording,PMR)技术,并号称可更充分发挥PMR技术的优点。
富士通美国分公司副总经理David James表示,随着市场对于高容量硬盘的需求持续提高,特别是在小尺寸的2.5寸硬盘上;Terabit/in2的存储密度将使内建二个碟片的2.5寸硬盘,实现1.2TB的容量。
Fujitsu取得技术突破 硬盘容量达到1.2TB
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