日本产综研开发可擦写1万次以上的全息存储介质

    存储在线 7月19日消息：日本产业技术综合研究所（产综研）开发出了可以反复擦写信息的全息存储介质（Holographic Memory）。该研究所在2006年7月12日～14日于千叶幕张Messe会展中心举办的展会“International Opt Electronics Show 2006（InterOpt’06）”上进行了展示。 
  
    产综研光技术研究部门生物光子学研究小组主任研究员福田隆史表示，在该全息存储介质的信息存储密度方面，“7.5cm×5cm的存储介质为几百GB”。每平方英寸的存储容量超过100GB。“如果存储介质的尺寸再稍大一些，现在也可实现兆兆字节（TB）的容量”。 
  
    不过，对于全息存储介质来说，这一存储密度并不是特别大。最近已经有存储密度达每平方英寸200GB以上的成功开发案例。但此次产品的“信息擦除和写入至少可达1万次以上。而其它的全息存储介质大多为只可写入一次的类型，能反复写入的几乎没有”。 
  
    受到光照射时分子会躲到阴影中 
  
    可反复写入的设计是通过在记录全息存储介质全息图的树脂中使用“偶氮苯聚合物”实现的。偶氮苯聚合物的薄膜具有在受到具有某种图形的直线偏光的光照射时，分子会向未受到光照射的阴影部分聚集的特性。这样，薄膜的阴影部分便会凸起，形成微小的凹凸。另外，由于分子的方向等也会发生变化，因此折射率因偏光方向不同而异的“复数折射率”数值不同的分布，就会根据光图形记录在薄膜上。 
  
    可通过照射光图形来记录复数折射率的图形，这一特性在只可1次性写入的多种全息存储介质使用的高分子薄膜中也同样具备。不过，偶氮苯聚合物的复数折射率图形是可逆的，能够通过均匀照射圆振光来擦除图形。 
  
    目前的课题是写入的响应速度与其它全息存储介质的高分子薄膜相比“慢10～100倍”。不过，复数折射率的大小却可达到其它全息存储介质的10～20倍，或者更大。如果复数折射率较大，便可多重记录多种信息，而且还可轻松提高存储密度。