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CEATEC:TDK采用新TMR磁头 面密度提高至309Gb

    存储在线 10月8日日本消息:在10月4日日本举行的“CEATEC JAPAN 2005”上,TDK宣布已成功地将硬盘面记录密度提高至309Gbit/平方英寸。线记录密度为1235kBPI,轨道密度为250kTPI。此项成果是利用可控制磁头悬浮量的TMR磁头和介质厂商提供的垂直记录介质实现的。从盘片记录容量来说,3.5英寸盘片相当于400GB,1.8英寸相当于100GB,1英寸相当于20GB以上。 
  
    据悉,TDK正在加紧准备,以便能在2006年底~2007年量产此次开发的TMR磁头,量产时间可能早于其他公司原先的估计。比如,美国日立全球存储科技公司(HGST)曾表示,2005年4月得到验证的230Gbit/平方英寸技术将于2007年投入实际应用。假如配备TDK的磁头,在2007年实现309Gbit/平方英寸的面记录密度的话,容量肯定会超过HGST。 
  
    利用加热元件控制悬浮量 
  
    此次开发的TMR磁头在滑动头的周围配备了加热元件。其工作原理是:加热元件通电后,磁头部位受热后就会膨胀,由此就会接近记录介质。最大可产生约10nm的位移量。由此就能将悬浮量由目前的约10nm缩小到不足5nm,预计可使面记录密度提高约20%。加热时的耗电量约为数十mW。据称,美国硬盘厂商2004年底就在其产品中配备了同样的技术。此次的技术,TDK称之为“DHF(dynamic fly height)”。 
  
    悬浮量的控制功能是在低温条件下更能发挥作用。原因在于低温条件下,介质的磁矫顽力会增高,而且滑动头收缩后会远离介质,因此不易进行读写。TDK相关人士表示,“在什么条件下,如何运用悬浮量的控制功能,那就看厂硬盘厂商的技术水平了”。 
  
    此次开发的磁头不仅配备了悬浮量控制功能,还对TMR元件进行了改进。与TDK在2005年5月举办的技术展览会上公布的150Gbit/平方英寸验证结果相比,灵敏度得到了提高。读取轨道宽度由90nm缩小到了78nm,轨道密度由155kTPI提高到了250kTPI。 
  
    在记录介质方面,采用了垂直记录方式以及主流的双层结构,记录层采用了粒状介质。包括介质厂商在内的更详细内容没有被公布。

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