CEATEC：TDK采用新TMR磁头 面密度提高至309Gb

    存储在线 10月8日日本消息：在10月4日日本举行的“CEATEC JAPAN 2005”上，TDK宣布已成功地将硬盘面记录密度提高至309Gbit/平方英寸。线记录密度为1235kBPI，轨道密度为250kTPI。此项成果是利用可控制磁头悬浮量的TMR磁头和介质厂商提供的垂直记录介质实现的。从盘片记录容量来说，3.5英寸盘片相当于400GB，1.8英寸相当于100GB，1英寸相当于20GB以上。 
  
    据悉，TDK正在加紧准备，以便能在2006年底～2007年量产此次开发的TMR磁头，量产时间可能早于其他公司原先的估计。比如，美国日立全球存储科技公司（HGST）曾表示，2005年4月得到验证的230Gbit/平方英寸技术将于2007年投入实际应用。假如配备TDK的磁头，在2007年实现309Gbit/平方英寸的面记录密度的话，容量肯定会超过HGST。 
  
    利用加热元件控制悬浮量 
  
    此次开发的TMR磁头在滑动头的周围配备了加热元件。其工作原理是：加热元件通电后，磁头部位受热后就会膨胀，由此就会接近记录介质。最大可产生约10nm的位移量。由此就能将悬浮量由目前的约10nm缩小到不足5nm，预计可使面记录密度提高约20％。加热时的耗电量约为数十mW。据称，美国硬盘厂商2004年底就在其产品中配备了同样的技术。此次的技术，TDK称之为“DHF（dynamic fly height）”。 
  
    悬浮量的控制功能是在低温条件下更能发挥作用。原因在于低温条件下，介质的磁矫顽力会增高，而且滑动头收缩后会远离介质，因此不易进行读写。TDK相关人士表示，“在什么条件下，如何运用悬浮量的控制功能，那就看厂硬盘厂商的技术水平了”。 
  
    此次开发的磁头不仅配备了悬浮量控制功能，还对TMR元件进行了改进。与TDK在2005年5月举办的技术展览会上公布的150Gbit/平方英寸验证结果相比，灵敏度得到了提高。读取轨道宽度由90nm缩小到了78nm，轨道密度由155kTPI提高到了250kTPI。 
  
    在记录介质方面，采用了垂直记录方式以及主流的双层结构，记录层采用了粒状介质。包括介质厂商在内的更详细内容没有被公布。