瞄准记录密度1TB硬盘！以45nm间隔配置磁性材料

    存储在线 6月30日消息：山形富士通、富士通研究所及神奈川科学技术学院日前联合开发成功了在铝底板上呈直线状形成微细孔，并在这些微细孔中填充磁性材料的技术。主要用于生产硬盘晶格介质（Patterned Media）。目前已经实现的轨道间距为45nm，今后通过形成25nm间隔的图案，记录密度有望提高至1TB／平方英寸。在2005年6月25日～30日于莫斯科召开的学会“MISM（Moscow International Symposium on Magnetism）2005”发表了该技术。 
  
    山形富士通等在非磁性材料—-铝中形成细孔（纳米空孔）后，通过电镀在这些细孔中填充了磁性材料—-钴。众所周知，在阳极中采用铝并经过氧化处理后，铝表面便会形成氧化膜。氧化膜上会出现无数直径数十nm的细孔，不过这些细孔均自行有序地形成蜂窝形状，因此这种构造不适于按圆周方向记录数据的磁盘使用。此次富士通等通过在铝表面形成凹凸形状、进一步寻找只在凹陷部分形成细孔的氧化条件，实现了呈直线状配置细孔的方法。