存储技术展示：90nm存储器展现海量存储能力

    由于具有密集而又可重复的阵列结构，半导体存储器或许是摩尔定律预测的最重要例证。Renesas公司的4Gb AG（辅助门）-AND闪速存储器（闪存）是该公司的首款基于90-nm工艺的器件，尽管仍然是一项具有重要意义的成就，但是在这方面给人的印象不如其名称的含义来得深刻 。该芯片采用MLC（多层单元）技术，每个单元可以存储2位信息；然而，这一事实仍然意味着该器件单单在存储器阵列中就包含2万亿个晶体管，另外还有其它外围电路。当Renesas公司在从180nm到130nm的工艺转换中，把常规的AND体系结构改为AG体系结构，从而生产出单芯片1Gb存储器和双芯片2Gb存储器，单元尺寸缩小了三分之二。作为从1Gb到4Gb过渡的一部分，光刻工艺从130nm光刻改为90nm光刻，使硅芯片效率又提高67%。
  
    Renesas公司的4Gb存储器有两种型号：一种是R1FV04G13R，具有8位数据总线，另一种RIVO04G14R具有16位接口。两种型号产品的售价均为55美元 (10000件批量)。R1FV04G13R在封装和输出引脚上均与该公司以前的AND器件兼容，但是你需要更新软件算法来反映其不同的器件标识、大两倍的擦除块以及随之而来的较低擦除速度。该公司还宣称，其AND器件在封装、输出引脚和命令集三方面都与来自NAND器件竞争对手（例如三星公司和东芝公司）的芯片兼容。R1FV04G13R和R1FV04G14R现有电源电压为3.3V的产品上市，其持续写入速度分别为10Mbps和12.5Mbps；该公司还计划在2005年第一季度推出功耗较小但速度较慢的1.8V产品。