芯片3D存储技术问世 存储容量可提升1000倍

    芯片制造商Reveo公司日前表示，他们已经开发出一种3D存储技术。通过该项技术，利用传统的制造设备即可将当前IC卡的存储容量提升1000倍以上，最高可达到万亿位。
  
    Reveo公司董事长兼首席执行官SadegFaris表示：“目前，一些大型芯片制造商纷纷在改进制造工艺，从0.13微米进步到0.09微米，0.065微米，甚至是0.045微米。但这其中，每一步跨越都需要耗费数十亿美元的资金。”而事实上，如果采用他们开发的3D存储技术，根本无需如此兴师动众。
  
    Reveo公司开发的3D技术其实就是存储层的堆叠。Faris说：“你可以在原有的电路板上再贴上一层5微米厚的电路版，以此类推，如果体积允许，你可以加上1000层。然后将他们组成一个有机体。”通过这种3D存储技术，你可以制造小到256G的存储芯片，大到1万亿的存储容量。
  
    Faris同时还表示，与传统的存储芯片制造相比，使用3D技术的成本仅相当于传统成本的1/10。使用3D技术，企业根本无需花费高额资金进行工艺改善和封装。如果利用传统的制造技术来生产1万亿的存储芯片，必须要经过DIP（双列直插封装）和SIMM（单列只插存储模块）两道复杂工艺。
  
    与此同时，新的3D技术可以在原有设备基础之上进行。例如，在0.1微米制造工艺之上即可生产。Faris表示：“利用新技术，我们无需耗巨资建立新工厂，也不再借用其他企业的工厂。唯一需要的技术就是将这些存储芯片堆叠起来，然后封装成一体。”