据赛迪网报道，韩国现代半导体公司(Hynix)预计今年将介入NAND闪存领域，与竞争对手三星电子和东芝展开竞争。
据集成电路分销商称，现代公司正在试生产NAND闪存，并且已经向用户发送32兆、64兆和128兆闪存样品进行证实。分销商表示，预计现代公司将在今年下半年生产出第一个1GB闪存产品。
NAND闪存市场和图形卡内存市场是韩国内存厂商今年要介入的两个重要市场。同标准内存市场相比，这两个市场竞争程度低而且进入的门槛比较高，能够为最早介入这些市场的厂商提供较高的利润。
集成电路分销商认为，现代公司的介入肯定会对NAND闪存市场中的三星和东芝产生冲击。目前，这两家公司一共占这个市场80%的份额。
另外，三星公司有一个相反的计划。三星计划今年把NOR闪存芯片的产量提高到据报道的每月500万片。
