固态硬盘评测 2011年主流SSD性能对抗

今天的固态硬盘成为了提升系统性能的最好途径，不仅仅加快了操作系统的启动时间，更让应用程序的装载时间变得飞快。如果用传统的HDD载入Photoshop等大型程序，至少要用10秒以上的时间。然而如果你换用了SSD的话，当你点击图标的瞬间就会打开，你根本无需等待。

在这篇文章中，你将看到目前主流的SSD方方面面的技术解析。将帮助你对SSD的原理和数据存储的各项技术细节有一个全面的认识。另外我们还准备了16款各具特色的目前主流PC存储设备。这包括了SSD固态硬盘，HDD机械硬盘，目前最新的3TB HDD，超大的750GB 2.5英寸硬盘，更有超强悍的7200RPM笔记本硬盘欲与SSD试比高。

消费者的疑虑：真有必要升级到SSD吗？

普通的PC消费者，并不是果粉，他们更注重的性价比。对于专门用于存储数据的装置，消费者最看重的并不是存取的速度而是容量。但这种观念点正因SSD的出现而悄悄的发生着变革。消费者们通常都会用传统的HDD机械硬盘的容量参数与SSD固态硬盘相提并论，得出的一个结论就是：SSD太贵了，是高端发烧友的玩意，是烧钱的玩意，作为普通消费者还是老老实实买一块TB级别的大硬盘比较保险。

今年与往年不同，今年的SSD固态硬盘市场将会是一个真真正正的普及之年。事实上我身边的不少朋友已经都在使用SSD固态硬盘了。固态普及已经喊了好几年了，今天的SSD产业已经发展出了一个比较成熟的市场环境。消费者慢慢开始意识到：购买一颗SSD会为整个系统带来前所未有的性能体验，这种畅快的感觉是升级一颗处理器或者加一条内存所远远无法达到的。因为现在的电脑中，最慢的部件不是处理器、不是显卡，更不是内存，而是系统的磁盘部分。SSD给了我们急速的4KB档位性能体验，让整个系统都充满了生机，让电脑像是活的一样迅捷机灵。如果你还未曾体验过SSD的急速快感，建议你去即将召开的台北电脑展的厂商展台上好好体验一把。

关键词解析：什么是闪存？什么是固态？

固态硬盘（Solid State Disk、Solid State Drive，简称SSD）是一种基于永久性存储器，例如闪存，或者非永久性存储器，例如同步动态随机存取存储器（SDRAM）的计算机外部存储设备。固态硬盘用来在便携式计算机中代替常规硬盘。虽然在固态硬盘中已经没有可以旋转的盘状机构，但是依照人们的命名习惯，这类存储器仍然被称为“硬盘”。

闪存是一种典型的非易失性存储器。它的数据访问速度介于易失性存储器和常规硬盘之间。和易失性存储器相比，非易失性存储器一经写入数据，就不需要外界电力来维持其记忆。因此更适于作为常规硬盘的替代品。闪存是最常见的非易失性存储器。小容量的闪存可被制作成带有USB接口的移动存储设备，亦即人们常说的“闪存盘”、“优盘”。随着生产成本的下降，将多个大容量闪存模块集成在一起，制成以闪存为存储介质的固态硬盘已成为可能。MLC(Multi Level Cell, 多层式储存)及SLC (Single Level Cell, 单层式储存) 使用MLC颗粒的固态硬盘成本较使用SLC的低，但是写入速度较低、使用寿命也较短。作为常规硬盘的替代品，固态硬盘被制作成与常规硬盘相同的外形，例如常见的1.8英寸、2.5英寸或3.5英寸规格，并采用了相互兼容的接口。

闪存芯片

LBA(Logical Block addressing)逻辑块寻址

在传统的硬盘中，我们通过寻道来找到硬盘上存储的内容。 在LBA模式下，我们知道硬盘上的一个数据区域由它所在的磁头、柱面（也就是磁道）和扇区所唯一确定。早期系统就是直接使用磁头柱面和扇区来对硬盘进行寻址（这称为CHS寻址），这需要分别存储每个区域的三个参数，使用时再分别读取三个参数，然后再在送到磁盘控制器去执行。

而NAND型闪存芯片则没有物理的LBA，芯片的结构也不是螺旋的磁道。在写入数据之前必须擦除才能进行写入。在SSD中擦除数据是以“块”为单位。所以SSD物理地址必须经过转换才能用在现在的文件系统上。这个转换层叫做FTL。

FTL(Flash translation layer) 闪存转换层

在传统硬盘中，我们的扇区容量一般为512个字节。近年来，为了超越2.1TB容量大关才更新为4KB容量扇区。而在SSD中，闪存的最基本的存储单位是“页”，其容量也是4KB。使用128至256个页则可以构成一个“块”。闪存芯片在写入数据前必须要先擦除，也就是说不能直接覆盖。这对于现有的文件系统来说，就产生了许多麻烦。

为了让闪存的物理结构与现有的操作系统相兼容，我们会在软件层，将闪存芯片的操作虚拟成512容量字节的扇区进行处理。这个过程就叫做FTL。将闪存的物理地址映射为操作系统可以支持的虚拟地址。

FLT的算法非常巧妙，如果要写入一个数据，SSD并不会先擦除某个页的数据，然后再进行写入。而是将需要写入的讯息写入不同的空闲的物理页中。然后再通过FTL映射，将闪存芯片上的这个页标记为无效。由此这个存储空间就被释放了。由此可见FTL的算法是否科学和精妙，直接决定着SSD的性能。

闪存芯片的写入寿命问题

当有新的数据写入时需要替换旧的数据时，SSD主控制器将把新的数据写入到另外的空白的闪存空间上（标记为擦除状态）然后更新逻辑LBA地址来指向到新的物理地址。而旧的地址内容就变成了无效的数据，但是要在上面再次写入的话，就需要首先擦除掉这个无效数据。

闪存有编程的次数限制，即写入次数寿命。由于闪存数据不能覆盖，写前必须擦。这样每次的写入与擦除就叫做1个P/E周期（program/erase cycles），大家应该都知道MLC一般的写入寿命是5000~10000次，而SLC是10万次左右。

举例来说，三星470系列固态硬盘采用的是三星的K8HDGD8U5M闪存芯片，采用了32nm制程工艺。转移到更精细的制程工艺技术可以在一颗晶圆上生产出更多芯片。不过这也减少了芯片的使用寿命。闪存芯片在50nm制程等级时，可以反复擦写10000次，而34nm制程时则变成了5000次。根据三星表示，470系列所使用的闪存芯片擦写周期仅有3000次。由此看来美光的25nm制程芯片的耐用度是个不小的问题。

磨损平衡：保持SSD长期健壮工作

WL(Wear leveling) 磨损平衡

在传统的硬盘中，每个扇区的读写利用率是不平均的。一般来说磁碟外径的空间读写速度最快，会被放置一些经常需要使用的数据。而磁碟的中间和靠近盘芯的部位会放置一些比较不容易被访问的数据。

在SSD中也有这样的情况，闪存芯片不同块、页的数据更新速度是不同的。很显然，如果某个块或者页的利用率高于其他，那么它的写入周期将被过快的消耗掉。由此这里就会产生一个坏块。一旦这个坏块是无法被修复或屏蔽的，那么这片闪存芯片也随之报废。而一颗芯片的报废会导致整块SSD无法继续使用。因此，这是工程师与消费者最不愿看到的情况。

平衡闪存中每一个块的负载，保持所有的存储单元都能被均匀的利用。这就能极大的保持SSD的健康性，保证SSD可以长期可靠的工作。

磨损平衡技术依赖于逻辑和物理地址的转换：也就是说，每次主机上的应用程序请求相同逻辑页地址时，内存控制器动态的映射逻辑页地址到另一个不同的物理页地址，并把这个映射的指向存放在一个特定的“映射表”里。而之前过期的物理页地址就被标记为“无效”并等待之后的擦除操作。这样一来，所有的物理块就能被控制在一个相同磨损范围，保证所有存储单元能够同时“老化”。

磨损平衡算法分静态和动态。动态磨损算法是基本的磨损算法：只有用户在使用中更新的文件占用的物理页地址被磨损平衡了。而静态磨损算法是更高级的磨损算法：在动态磨损算法的基础上，增加了对于那些不常更新的文件占用的物理地址进行磨损平衡，这才算是真正的全盘磨损平衡。目前SandForce和Marvell的主控方案都支持静态磨损算法。

垃圾回收：保障SSD高速运行

GC(Garbage collection) 垃圾回收

当所有的的SSD空闲空间被写满之后，SSD的主控芯片就会将所有标记为“无效”的块和页都统一进行擦除操作。将这些离散的数据整合起来重置为“空白”的块空间。这个操作就叫做垃圾回收。

很明显当SSD主控进行垃圾回收的时候，会消耗许多处理资源和数据带宽，这个时候用户会感到SSD不知道在干什么，性能下降非常明显，甚至是卡顿。由此聪明的工程师们想到利用SSD闲置时，自动进行垃圾回收操作。这样可以保证SSD中具有足够数量的“空白”空间，以应对未来的大宗数据读写任务。

但你可以想象，如果系统经常进行垃圾回收处理，频繁的将一些区块进行擦除操作，那么SSD的寿命反而也会进一步下降。由此把握这个垃圾回收的频繁程度，同时确保SSD中的闪存芯片拥有更高的使用寿命，这确实需要找到一个完美的平衡点。同时垃圾回收时增加的额外的擦除操作就被称作是“写入放大”。

对于GC垃圾回收而言，有两种方式，一个是主动，一个是被动。主动的方式比较容易理解，就是通过用户自己手动运行软件，进行垃圾回收操作。当SSD被写满之后，SSD不会自动进行垃圾回收操作。由此只有当性能下降剧烈，用户有所察觉的时候，才会进行手动的垃圾回收。

另一种被动垃圾回收就要高明的多。通过主控的固件程序算法，固态硬盘会自动为每一个经过擦除处理的“空白”块作一个标记。当SSD整盘的垃圾达到一定数量，需要进行GC垃圾回收的时候。主控芯片会自动寻找到标记等级较低的块进行垃圾回收。由此这样做就会做到磨损平衡，确保块的健康，减少某个块被频繁的GC。

TRIM指令：告诉SSD哪些数据是无效的

SSD并非天生丽质完美无瑕，这里小编先讲述一个长期损害SSD性能的一个诟病——区块重写损失。在固态硬盘长期使用时，会产生许多磁盘碎片，其存取性能会远不如从前。这是因为在闪存芯片中，4KB的页会组成512KB的块。另外也可以直接对页进行写入，但他们必须是空的。在写入操作时，如果一个块中被一个页所占据，那么驱动器就会重写整个块。当读取较大区块的时候，它会被直接放在缓存中，然后在缓冲中进行修改，最后在将整个块进行回写操作。这样繁琐的存储区块操作需要占用更多的时间，同时也会消耗缓存的写入性能。

有读者会发问，固态硬盘中有许多空闲的存储区域，这里有大量的未被占用的页，可以直接对其操作，这样不就行了？但小编我很遗憾的告诉你，这不可能。当Windows删除一个文件的时候，它并不会真的从驱动器上抹去这个文件。在闪存芯片中也是如此。它会被标记成“已删除”，但是其内容不会真的被抹掉。从技术角度而言它仍然霸占着这些存储空间。这也就是为什么通常我们的SD、CF卡在数码相机中，不小心将照片删除后，仍然可以完美恢复的原因。因此闪存控制芯片会发现这些被“存储”着的已删除文件，并且将这些块视为大容量区块，并频繁的在缓冲中挪移。

史上率先支持TRIM的Intel X25-M固态硬盘

在SSD的世界中，要想得到有效的空闲空间，必须复制所有的有效页到新的空闲块里。SSD需要使用垃圾回收机制擦除旧块中的信息才能写入新的数据。TRIM指令可以帮助SSD区分哪些块是被标记“无效”，哪些是可以被用于直接写入数据。由此可以让主控芯片对于不同状态的NAND空间区别对待。这样就减少了“写入放大”，减少了不必要的P/E周期。同时主控芯片对于“有效”页的处理任务量也变少了，这样也可以大大提高垃圾回收的效率。

Windows 7中开始支持这项技术，但令人遗憾的是目前的Mac OS X并不支持这项技术。据说苹果在6月新发布的Mac OS X 10.7 Lion中将会进一步对TRIM进行支持。或者如果消费者等不及Lion，还可以冒险使用第三方的TRIM支持插件来实现。

坑爹呢？说说SSD中的预留空间

OP（Over-provisioning）预留空间

选购SSD是一件很郁闷的事儿，尤其是看包装盒上那些可怜巴巴的容量标签。很多消费者都会比较愤怒：为什么SSD在Window下显示的容量与SSD外包装上标称的容量有如此巨大的差异。明明买的是一块128GB的固态硬盘，在Windows下可以使用的也就是100多个GB了，这不是坑爹呢么？怀有这样愤怒的消费者请稍安勿躁，且听小编我来给大家详细解释一下SSD中的OP预留空间的事儿，也许您就可以释怀了。

预留空间一般是指用户不可操作的容量，为实际物理闪存容量减去用户可用容量。这块区域一般被用来做优化，包括磨损均衡，GC和坏块映射等等。预留空间一般可以视作三个等级。

首先SSD容量会有固定的7.37%损耗。这个数字是如何得出的哪？我们知道机械硬盘和SSD的厂商容量是这样算的，1GB是1,000,000,000字节，即10的9次方，但是闪存的实际容量是每GB=1,073,741,824，即2的30次方，2者相差7.37%。所以说假设1块128GB的SSD，用户得到的容量是128,000,000,000字节，多出来的那个7.37%就被主控固件用做OP了。

其次是来SSD自制造商的设置，通常为0%，7%和28%等等。SSD制造商会根据自己的闪存颗粒品质，质保年限，或者是真对的市场阶层进行设置。打个比方，对于128G颗粒的SandForce主控SSD，市场上会有120G和100G两种型号卖，这个取决于厂商的固件设置，这个容量不包括之前的第一层7.37%。另外，如果是针对企业级市场，那么预留的空间就要更大。如果针对的是廉价的消费级市场那么为了讨用户欢心，也许就预留的少一些，甚至不做预留。

最后一方面是用户在日常使用中可以分配的预留空间，像Fusion-IO公司还给用户工具自己调节大小来满足不同的耐用度和性能，而用户也可以自己在分区的时候，不分到完全的SSD容量来达到同样的目的。

预留空间虽然让SSD的可用容量小了，但是可以减少写入放大，提高耐久和可靠性，提高SSD的读写性能。

写入放大：谈起这个词儿小编就胆寒

WA（Write amplification）写入放大

因为闪存的特性决定了，在写入数据之前必需先对闪存存储单元进行擦除才能改写。在执行这些操作的时候，移动或重写用户数据和元数据不止一次。这些多次的操作，减少了SSD的写入寿命也增加了无谓的写入量。写入放大系数是SSD控制器实际写入区块的容量总和与实际文件大小的比值。写入放大为1时是最合适的，也就是说，你想写入16KB的文件，SSD实际写入了16KB的文件，更高的写入放大意味着SSD更短的寿命和更低的性能。因此，写入放大是衡量主控性能的重要指标。所有的算法优化技术都是为了降低写入放大。

早在2008年，Intel公司和SiliconSystems公司、第一次提出了写入放大并在公开稿件里用到这个术语。他们当时的说法是，写入算法不可能低于1，但是这种说法在2009年被SandForce打破，SandForce说他们的写入放大是0.55。需要指出的是SiliconSystems公司也正式在2009年被西数收购的高端SSD公司。

上文已经指出一个页的容量是4KB，一个块的容量是256个页，即1024KB。那么最坏的情况是实际写入一个4KB容量的数据，导致了整个块的1024KB容量数据的写入操作。这里的写入放大系数就是256倍。当然这也是最坏的情况。这不仅仅耗费了闪存芯片的P/E周期，也大大影响了SSD的读写性能。

写入放大也有两种情况需要分别考虑。一种是持续的写入，在连续的空闲块进行数据写入，有可能将放大写入系数控制在1以内。实际应用中一般会在1与2之间。同时厂商和消费者可以预设一定的OP，来进一步减少写入放大。例如，你有一个256GB的SSD固态硬盘，你仅仅划分出128GB的容量来进行存储，那么一旦你遇到最坏的整块重写情况发生，那么你也能将对NAND闪存的损耗减少3倍。

另一种是随机4KB写入，目前的SSD主控芯片对于100%的4KB随机写入控制的都不错。即使再最坏的情况下写入放大的系数也会控制在20倍以内。

影响写入放大的各种因素

对于写入放大系数来说，会受到很多因素的影响。首先，对于GC垃圾回收来说，虽然能增加写入放大的系数，但是这个对SSD硬盘的性能会有较大的提升。而被动的垃圾回收也不会影响写入放大系数。因此，只要算法科学合理，就可以提高其效率。

对于OP预留空间来说，这对于改善写入放大系数有很好的效果。但是这必须在SSD上划分出一片空间，而用户也无法利用这些空间进行存储。

对于TRIM指令来说，可以改善写入放大系数。它可以告诉主控芯片，那些数据块是存储区域，不必做GC垃圾回收处理。

另外，写入放大系数还和SSD的容量有很大的关系，SSD的容量越大，其可以利用的空间越多。无论是GC还是TRIM都会为其留有足够的空间施展。因此，SSD的容量越小，其写入放大的系数就越高。

安全擦除（Secure Erase），有点类似HDD上的全盘格式化，它可以减少写入放大系数，它可以清除SSD上的所有数据，让SSD恢复到出厂时的性能。

在写入方面，连续的持续写入大容量文件，要比随机的写入小容量文件好。因为上文已经指出，理论上来说持续写入的系数为1，当然这是最最理想的状况。

总的来说，写入放大是关键的SSD指标，闪存的写入速度比读取速度慢的多，所以现在的SSD主控制器用多通道来提升写入速度。如果写入放大太高，意味着一样的操作需要写入更多的数据，这样速度自然快不起来。一个主控的好坏主要体现在写入放大上。如果大家都一样的通道数，颗粒也相同，但差别为什么会那么大。原因就是一个写的少而另个写的多。一切算法技术的根本目标是要尽可能的减少写入放大。

双倍性能：DDR NAND闪存芯片有多快？

在闪存业界，有两个互相竞争的高性能芯片规范组织。ONFI是其中之一，另一个则是大名鼎鼎的JEDEC。ONFI的阵营中，是由Intel、美光、海力士等几家国际大厂为主导。而ONFI 2.0也已经成为了业界目前最先进的高性能闪存规范。而三星和东芝另起炉灶，最新DDR标准叫Toggle。现在业界开始慢慢的达成统一，Toggle与ONFI宣布互相为之兼容。

如果你知道DDR的运作原理，就能很好的理解ONFI 2.0的机制。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。ONFI 2.0也利用了相同的差分时钟信号机制，在同一个信号源，同样的时钟频率下，得到了更快的数据吞吐量。同时这样做也更加节能。不过就像是从SDRAM过渡到DDR一样，其闪存控制芯片也要提供相应的支持。

根据三星网站上公布的数据，如同第一代DDR一样，第一代DDR NAND可以支持高达133Mbps的带宽。目前的普通的SDR NAND闪存芯片，带宽仅有40Mbps。你可能会怀疑，这个数字的真实性。通过X8层的组织以后，每颗芯片可以支持133MB/s的数据吞吐量。随后ONFI还制定了后续的166和200MB/s接口规范。在明年三星可能会使用400Mbps的DDR NAND型闪存芯片。

接口解析：充分发挥原生SATA 6Gbps性能

要想发挥出SATA 6Gbps接口的全部性能，必须要使用Intel的新SNB平台，因为其SATA 6Gbps磁盘控制器非常强悍。充分的榨取了SATA总线的带宽。要知道老的ICH10R南桥芯片，最多仅能释放出650至700MB/s的带宽。除此以外，市面上大多数芯片组并非是原生支持SATA 6Gbps，许多主板厂商都采用了额外的第三方芯片，从而让主板支持这一接口。当然你可以试想一下，由主板芯片组原生支持的SATA 6Gbps接口势必要优于第三方的桥接芯片方案。由此在本次测试中。我们也采用了最新的Intel P67主板作为测试平台。

随着Intel SNB处理器的发布，与之搭配的Intel 6系列芯片组也随之推出，Intel 6系列芯片组会有P67、H67、Q67、 Q65、 B65、 H61等等芯片组，不过市场上的主流产品应该还是像5代产品一样，主要以P67和H67为主打产品。而6系列芯片组除了可以支持LGA 1155接口的SNB处理器之外，它最大的特色就是支持2个原生的SATA 6Gbps接口。

本次评测采用的是Intel原厂DP67BG主板

Intel P67芯片组

Intel的P67芯片组是定位中高端市场的芯片组，它可以支持处理器中的单条16通道的PCI-E X16或者是双条的PCI-E X8显卡扩展，另外，P67主板不能够支持SNB处理器中的核芯显卡，当你在P67上使用SNB处理器时，无法使用它的核芯显卡功能。其它支持方面，基本与H67相同。

Intel原厂DP67BG主板，采用P67芯片组

磁盘接口方面：Intel DP67BG主板板提供了四个SATA 3Gb/s（黑色接口），以及两个SATA 6Gb/s接口（蓝色接口）。

主控芯片，固态硬盘强劲的心脏

由于固态硬盘技术与传统硬盘技术不同，所以产生了不少新兴的存储器厂商。厂商只需购买NAND存储颗粒，再配合适当的控制芯片，就可以制造固态硬盘了。新一代的固态硬盘普遍采用SATA-2接口。在SSD固态硬盘中，对于性能和可靠性影响最大的就是其控制芯片。目前的主流SSD控制芯片厂商有：Intel，Sandforce，Marvell，Indilinx，Micron，Toshiba，Phison，Samsung，JMicron。

SandForce公司是一家半导体芯片设计厂商，其固态硬盘控制芯片核心解决方案在世界处于领导地位。他们发布的首款固态硬盘控制器是SF-1000系列。其中的一个分支，SF-1200系列被用于消费级固态硬盘市场，而另一个分支SF-1500系列被用于企业级固态硬盘市场。这两款SSD控制芯片具有相同的硬件结构，他们的差别在于内部的程序有所不同。而消费级的SF-1200在2010年大放异彩，成为了市场中的许多固态硬盘生产厂商的首选方案，同时也被广大的消费者所接受。

在2010年，SandForce鹰击长空其SF-1200控制芯片成为了业界的佼佼者。为了做到这一点，SandForce的工程师们不断努力创新，并且不断绞尽脑汁改善SSD固态硬盘的性能、耐久性和可靠性。同时致力于降低SSD固态硬盘的成本，为其大规模普及奠定了坚实的基础。这些都是SandForce正努力在作的事情。

SandForce方案解析：众多合作伙伴支持

除了PQI之外，SandForce还有许多合作伙伴。就目前的产业格局看来，事实上SandForce作为一家固态硬盘主控芯片方案的设计商，其拥有的合作伙伴是最为众多的。

也许作为看官的您，对于这张图表来说，它既不是露胸翘臀的模特，又不是多么振奋人心的评测结果。也许很难给您带来怎样的震撼感。但是这张图表对于整个SSD产业来说，却有着非同一般的意义。这张图中我们可以看到SandForce签署了34个战略合作伙伴公司，而我们小熊在线也评测过其中大多数的SSD固态硬盘产品。

回顾2010年以来，与SandForce展开密切合作的公司越来越多，而基于SandForce方案的固态硬盘产品也越来越多。这样的发展格局非常乐观，因为整个SSD产业环境来说，不仅仅是SandForce自己的产品研发团队在孤军奋战，有越来越多的合作伙伴的工程师加入其中。反观其他固态芯片方案商，Intel仅有寥寥数家合作伙伴，一个金士顿，一个Buffalo，还有几个跟夫妻店似的小厂子。再说说Marvell，主控芯片的实力确实不容小视。Crucial的C300几乎在2010年成为了速度最给力的SSD。经过大概1年半的努力，我们看到了Crucial、建兴、浦科特、威刚等公司的加盟。近日我们也得到了最新的消息Intel的最新款510固态硬盘采用的正是Marvell的最新主控芯片。Intel的倒戈似乎会让整个SSD产业重新洗牌。Marvell似乎要与SandForce一较雌雄的韵味。

方案解析：SandForce SF-1222TA3芯片

信不信由你，固态硬盘的测试工作，小编我作的很多了。有时候感觉SandForce SF-1200这样的固态硬盘控制芯片方案，就像是鸭子一样。你看上去它非常的平庸，与其他会飞的鸟儿没有什么不同。而当鸭子能在水里自由的畅游，嘎嘎的叫起来的时候，你又会觉得它确实非常的神奇。SandForce SF-1222控制芯片是面向消费级的SSD主控方案。它支持SATA 3Gbps接口，可以适用于各种标准的SATA设备。不过令人的有些许遗憾的是，它并不支持SATA 6Gbps接口。它支持SandForce研发的DuraClass技术，可以让MLC闪存芯片的耐用性和可靠性得到大幅增强，2xnm和3xnm制程的闪存颗粒一般可以实现3000至5000的复写次数。同是它还支持RAISE技术，这有点像是传统的HDD RAID阵列中的数据保护机制。最后它也支持AES-128自动加密保护。

在整个电路板上，有个非常显著的特点，它并没有支持外置的高速缓存芯片。你不会在PCB上看到单独的一颗DRAM芯片作为数据缓冲。这样设计的目的就是为了达成更快的数据交换。不过这也需要使用一部分存储容量作为代价的。因此我们将看到，这一款芝奇的固态硬盘，容量仅有115GB，而不是典型的128GB或120GB。虽然牺牲了些许的容量，但是SandForce SF-1222的这种设计却换来了较高的IOPS性能，在下面的实际测试中，大家可以留意一下。

方案解析：MARVELL新一代半导体公司

美满电子科技（Marvell）有限公司创建于1995年，是全球顶尖的无晶圆厂半导体公司之一，也是全球发展最快的半导体公司之一。公司在全球的员工数量近6000名，国际研发中心遍布美国、欧洲、以色列、新加坡和中国，并在存储、通信、智能手机和消费电子半导体解决方案等领域占有领先地位。

MARVELL：新一代半导体公司

美满电子科技(Marvell)公司创立于1995年，总部位于美国加州的Santa Clara（圣塔克拉拉)，是由印尼华侨周秀文博士及妻子戴伟立女士、胞弟周秀武共同创办的。作为一家顶尖的无晶圆厂半导体公司，公司每年售出近10亿颗芯片，公司2010财年（截至2010年1月30日）的收入达28亿美元。Marvell在微处理器体系架构及数字信号处理方面的专业知识，极大地推动了大容量存储解决方案、移动与无线技术、网络、消费电子产品及绿色产品等平台的发展。同时，借助于自身超强的设计及混合信号设计能力，Marvell可为客户提供最关键的核心器件和模块，帮助他们在竞争激烈的市场中立于不败之地。目前，Marvell已经与全球知名的领导厂商和服务提供商都建立了稳固的合作关系，包括RIM、中兴、华为、摩托罗拉、中国移动、微软、希捷、东芝、三星、思科、HP等。同时，Marvell在行业里也赢得了技术创新的美誉，并被竞争者称之为最难超越的对手。

MARVELL公司愿景：在未来，生活中使用的各种互联设备，包括手机、平板电脑、信息家电、智能家居都可以无缝地连接，人们可以随时随地，通过各种屏幕实时获取自己喜欢的内容，尽享移动生活的美好！

Marvell 88SS9174主控芯片

作为全球发展最快的半导体公司之一，Marvell为以下市场提供卓越的技术和产品平台：

移动与无线技术：从笔记本电脑到智能手机再到游戏设备，从家庭到办公室再到酒店客房，无线与移动技术早已触及我们日常生活的方方面面。Marvell的解决方案能够支持移动与无线设备的整个价值链，为企业级用户乃至消费者提供全方位多媒体体验与体贴周到的服务。另外，Marvell还提供业界顶尖的电源管理技术，可延长电池使用时间，不仅易于使用，安全性也很高。

存储解决方案：Marvell是数据存储芯片解决方案的市场领先者，服务于消费市场、移动产品市场、桌面产品市场及企业市场等众多领域。公司的存储解决方案使客户可以打造出用于硬盘驱动器、磁带驱动器、光盘及固态硬盘，以及主机适配卡与桥接卡的大容量产品。

网络：Marvell致力于打造极度可靠耐用和具有极高恢复性的网络产品。无论是稳健的企业网络应用，还是消费者与小型企业解决方案，Marvell网络产品均能够无缝支持网络生态系统的各个环节，时刻“稳健运行”。

消费电子：Marvell拥有引领业界的存储技术、网络技术、无线与移动技术，以及屡获殊荣的视频处理产品，出色的解决方案为一些尖端消费型设备提供了强有力的支持。Marvell一直致力于微处理器体系结构的创新发展，向着高度集成化与高度可扩展性方向大步迈进，其出色的技术使得消费者不管是在家中还是在旅途中都可以轻松管理与使用各种信息，享受科技带来的乐趣！

绿色技术：无论是作为供应商还是技术使用者，Marvell始终坚定不移地开发绿色技术，响应节能减碳的号召。Marvell拥有数字功率因数校正(PFC)控制器这一尖端电源管理技术，堪称交/直流电源与低功率LED及CFL照明解决方案方面当之无愧的能效专家。

SSD参评产品简介：浦科特 PX-128M2S 128GB（上）

浦科特在今年年初新推出的PX-128M2S固态硬盘，有着128GB的超大容量。同时搭载了世界上最先进的Marvell 88SS9174固态硬盘主控芯片。结合东芝的高品质闪存颗粒，和128MB的DDR3高速缓存机制，为我们带来了世界上最快的固态硬盘产品。另外它也有这浦科特磐石一般的做工和三年固保服务，长达1,500,000小时的无故障使用时间。特别是有独家的即时恢复技术，让这颗SSD使用十年也不会出现性能缩水的问题。

当然，除了主控芯片和闪存颗粒以外，固态硬盘的固件算法对于SSD的性能发挥也起到了重要的作用。优秀的固件算法，可以更好的平衡SSD上每一颗闪存的写入负载，让固态硬盘的耐久性更强。优秀的固件程序可以巧妙的在频繁的读写时，让主控芯片忙里偷闲休养生息，不断进行TRIM为固态硬盘回收文件碎片。同时，优秀的固件程序还可以减小固态硬盘的写入放大系数，让固态硬盘的闪存芯片减少写入磨损，提高闪存的寿命，减少坏块的发生几率。

浦科特的浦科特M2S系列固态硬盘，采用了堪称世界上最快的固态硬盘主控方案。2011年1月，M2S系列固态硬盘开始批量生产。而当时的内部固件版本仅仅是v1.00。时间跨度到了2011年4月，搭载全新v2.00固件的新版M2S系列固态硬盘开始大面积铺货，这也让小编激动不已。

浦科特PX-128M2S固态硬盘，外包装

浦科特PX-128M2S固态硬盘真身。表面采用极富质感的金属拉丝风格

背部特写

固态硬盘规格

SSD参评产品简介：浦科特 PX-128M2S 128GB（下）

主控芯片：Marvell 88SS9174

浦科特M2S系列固态硬盘，采用了被誉为是世界上最好的Marvell 88SS9174控制芯片。这款控制芯片是目前业界最高级的一颗SSD固态硬盘控制芯片，它是整个SSD的灵魂。这套方案可以达成业界最快的读写速度。

1.8英寸PCB设计

一般的固态硬盘通常会采用标准的2.5英寸硬盘的规格和外形。在固态硬盘内部会使用一个较大的电路板。而浦科特M2S系列固态硬盘则不同，它的体积要比市面上普通的标准2.5英寸硬盘小很多，其内部的PCB板是一个标准的1.8英寸笔记本硬盘的规格。它不仅仅可以适用于2.5英寸硬盘舱位，更可以适合1.8英寸硬盘舱位。你可以轻松将自己的超薄超轻笔记本，升级到理想的固态硬盘存储方案。

高速缓存芯片

另外它搭载有一颗容量高达128MB的DDR3高速缓存芯片，为整颗SSD的读写提供高速的数据缓冲。它可以大幅提高SSD的突发读写速度，特别是当SSD需要频繁修改数据时，可以使其性能发挥到极致，又可以大幅提高SSD闪存芯片的寿命。

南亚DDR3 128MB DRAM芯片

东芝闪存芯片

浦科特M2S系列固态硬盘采用了东芝最新的Supercharged Synchronous NAND增压同步型闪存芯片。各个版本的固态硬盘在PCB的正反面均配备了8颗闪存芯片，但是型号和容量有所差别。128GB版本：东芝TH58TVG7D2FBA89 * 8。256GB版本：东芝TH58TVG8D2FLA89 * 8。

东芝闪存芯片

SSD参评产品简介：浦科特 PX-256M2S 256GB（上）

Plextor最新款SSD固态硬盘PX-256M2S。它采用的是Marvell公司制造的88SS9174主控芯片，同时搭载了东芝最新的Supercharged Synchronous NAND增压同步型闪存芯片，容量高达256GB。这样的组合使它成为了世界上最快的SSD固态硬盘。PLEXTOR在光存储领域的领先地位是尽人皆知，而SSD也属于存储类产品，由此固态硬盘同样也是PLEXTOR大展拳脚之地。可想而知现在有浦科特这样的专业存储类领导品牌杀入重围，今天这款256GB容量的SSD将为整篇横评添上个好彩头。

浦科特PX-256M2S固态硬盘，外包装

本次测试的是256GB版本

表面采用极富质感的金属拉丝风格

浦科特发布的其第二代固态硬盘产品M2S系列，传输接口升级为SATA 6Gbps。M2S系列固态硬盘将采用2.5寸标准规格，容量有128GB、256GB，搭配128MB DDR3缓存。它采用了世界上最先进的Marvell 88SS9174固态硬盘控制芯片，同时使用了东芝的MLC闪存颗粒。

其256GB型号的持续读取速度最高，可以达到惊人的500MB/s，持续写入速度也高达350MB/s，性能非常可怕。

浦科特M2S系列支持Windows 7 TRIM自动整理随便功能、动态耗损均衡技术，特别是有独家的即时恢复技术(Instant Restore Technology)，让SSD使用十年也不会出现性能缩水的问题，并提供最长三年质保。浦科特M2S系列固态硬盘香港和欧美已经开卖。PLEXTOR在大陆3月开卖。包括价格在内的更多细节也会在下个月公布。

但事实上这款固态硬盘已经率先在2010年12月18日，在日本本土发布。最高的256GB版本售价高达59980日元。

SSD参评产品简介：浦科特 PX-256M2S 256GB（下）

PCB特写

闪存芯片特写，编号为TH58TVG8D2FBA89

南亚的DDR3 DRAM高速缓存芯片

SATA 6Gbps接口特写

SSD参评产品简介：威刚 S501 V2 64GB（上）

威刚S501 V2固态硬盘，采用了被誉为是世界上最好的Marvell 88SS9174控制芯片。这款控制芯片是目前业界最高级的一颗SSD固态硬盘控制芯片，它是整个SSD的灵魂。这套方案可以达成业界最快的读写速度。

另外，威刚S501 V2 SSD新一代固态硬盘，除拥有超高速传输、耐久抗震、低耗电、无噪音、不产生高热等多项传统固态硬盘的特色优点外，64GB版本采用质量优良、效能稳定的美光精选 NAND Flash 颗粒，在传输效能极速飞驰的同时还能兼顾数据保存的安全性；采用高速传输技术标准Toggle DDR 2.0，并配备128 MB DDR III 高速缓存，有效提高数据存取与读写速度，再加上主动式抹写补偿技术(Dynamic Wear Leveling)的应用，不仅节省读取数据的搜寻时间，更可减少闪存的抹写次数，达到延长产品寿命的目的。

威刚S501 V2固态硬盘

威刚S501 V2固态硬盘

背部特写

附送托架

SSD参评产品简介：威刚 S501 V2 64GB（下）

依据Serial ATA Revision 3.0规格所研发的 SATA 6Gb/s传输接口，数据传输率最高可达每秒6Gbps，比起之前世代的 SATA II规格，足足快上一倍；采用相同的传输线和接头，可向下兼容 SATA 3Gb/s及SATA 1.5Gb/s接口。因此，率先采用 SATA 6Gb/s传输接口的ADATA S501 V2 SSD固态硬盘，在支持 ATA 6Gb/s的实际测试环境下，数据读取速度可达每秒350MB，不用苦苦受限传统硬盘传输速度的物理限制，就让 ADATA S501 V2 SSD固态硬盘充分发挥 SATA 6Gb/s新世代规格的超高效能表现。

正面

拆开来后正面，可以看到主控为Marvell 88SS9174-BJP2，这个主控内部是2个ARM9处理器，8通8位，10年44周产。正反面共有8个颗粒型号为0YB12 NW273的闪存芯片，采用FBGA封装。真实批号为MT29F32G08CBCBBH1-12Q:B。

闪存颗粒

除了优越的硬件设计之外，要有效发挥 SSD 固态硬盘的强大威力，更需要许多杰出优越的技术配合才能充分表现优异的速度并延长使用寿命。威刚累积多年的相关经验，充分掌握关键技术，精心打造出威刚S501 V2 SSD 固态硬盘，譬如在韧体方面，应用了多项技术来发挥与延长固态硬盘的使用效能；支持 Windows 7 的 TRIM command，可最佳化数据写入作业，提高速度表现；独特的智能型算法，让每个内存区块的覆写次数平均化，有效减缓效能下降与耗损机率，大幅延长 SSD 的使用寿命。

美光34nm闪存颗粒特写

美光的这颗闪存芯片，为34nm封装，符合ONFI2.0标准，4GB的NAND颗粒，2bit MLC，1个die，1个CE，1个R/B，Vcc: 3.3V (2.7–3.6V)，VccQ: 1.8V (1.7–1.95V)。支持同步/异步模式，100-ball VBGA封装。同步模式下支持单通道166MT/s。Page: 4KB，Block: 256page，Plane: 2048block，Die: 2plane = 32Gb。正反共16颗闪存芯片，组成64GB的容量。

美光高速缓存芯片特写

高速缓存型号为0YB12 D9LGQ同为美光生产。真实批号为：MT41J128M16HA-15E:D。容量128MB，16bit位宽，1.5V，DDR3-1333的CL=9内存颗粒。96针FBGA封装。

SSD参评产品简介：PQI S535 256GB（上）

PQI S535固态硬盘采用256GB容量的MLC闪存颗粒，并使用SandForce主控方案，性能强劲但价格却更平易近人。除此之外，外层包覆耐撞击铝制壳件，加上固态硬盘本身的防震结构，强化外部撞击力的承受度，借着硬件架构来保护内部重要数据，提供使用者最佳的数据防护。而容量上则提供64GB至256GB的超大容量选择，并享有三年保固服务。

PQI S535固态硬盘拥有主流SATAII接口，不但可装在普通台式计算机的主板上当作系统盘使用，亦适用于笔记型计算机，使用者只需使用SATA线缆连接，即可轻松安装在笔记本上。

PQI S535固态硬盘，产品包装

PQI S535固态硬盘，真身

SSD参评产品简介：PQI S535 256GB（下）

PCB正面特写

主控芯片：SandForce SF-1222TA3-SBH

29F16B08JANDB，单颗64Gb容量颗粒，采用48针脚/TSOP封装

SATA接口特写

SSD参评产品简介：芝奇 Phoenix EVO 115GB（上）

长期以来，在内存模块及固态硬盘，一直致力于高效能及高质量的芝奇国际，近日发布了最新固态硬盘产品Phoenix EVO系列。同原先Phoenix系列仍使用目前SATA2最佳效能SandForce SF-1222控制芯片，并选用高质量的2X纳米闪存。Phoenix EVO硬盘容量将为115GB，厂商标称读取/写入速度分别为280MB/s和270MB/s。四月开始将在芝奇国际全球经销处同步贩卖。

芝奇新版Phoenix EVO固态硬盘

编号FM-25S2-115GBPE，容量为115GB，闪存芯片为MLC型

侧面有固定螺丝孔

SSD参评产品简介：芝奇 Phoenix EVO 115GB（中）

Phoenix系列在全球获得无数好评，在中高阶固态硬盘产品中占有一席之地。随着闪存制程从3X纳米到2X纳米的演进，芝奇国际与SandForce 保持密切合作关系，维持一贯的高规格要求，新Phoenix EVO系列皆通过多项严格测试并搭载最终韧体，更保证使用原厂严选闪存颗粒，以确其产品的最高效能及稳定性。

搭载2X纳米的Phoenix EVO系列，虽然需要较多的保留空间和略逊于3X纳米的效能，但因闪存价格上的成本效益，却提供了更亲民的价格，让更多消费者能用合理的价钱享受固态硬盘的高效能服务。此外，Phoenix Pro系列仍维持使用3X纳米闪存，保证其一致的效能与容量。

芝奇Phoenix EVO固态硬盘

背部特写，支持RoHS工艺规范

芝奇Phoenix EVO固态硬盘，支持标准的SATA II接口

SSD参评产品简介：芝奇 Phoenix EVO 115GB（下）

PCB正面特写

SandForce SF-1222控制芯片

这是美光出品的闪存颗粒：29F64G08CBAAA，它采用的是25nm制程工艺，单颗容量8GB，24bit ECC flash芯片。正反16颗闪存芯片，达成115GB容量。

SSD参评产品简介：广颖电通 V20 60GB（上）

广颖电通（硅电计算机与通信公司）成立于2003年2月，主要股东为兆丰金控交通银行，矽创电子，经营管理团队由记忆体产品行销，磁碟控制器，主机板研发等领域之资深专业经理人所组成，执行团队则由专研数位储存资讯科技的行销业务与资深的产业技术专业人才所组成。广颖电通致力于销售自有品牌商品开拓全球市场，目前自有品牌商品已经成功销售全球100多个国家，广获全球消费者肯定，仅仅七年即成为闪存卡，闪盘，读卡器，内存，SSD的固态硬盘以及外接式硬碟的全球领导厂商之一。为进军全球市场，在荷兰，日本，俄罗斯及中国等地已陆续设立分公司，版图逐渐扩及南美洲，美国，欧洲与主要新兴市场。

广颖电通V20固态硬盘，外包装

广颖电通V20固态硬盘，随包装附送了3.5英寸台式托架一个

广颖电通V20固态硬盘，真身

广颖电通V20固态硬盘采用标准的SATA 3Gbps接口

SSD参评产品简介：广颖电通 V20 60GB（下）

广颖电通V20固态硬盘设计的比较有意思，它的PCB是固定在外壳盖板上的。外壳盖板上的四个垫脚将它轻轻抬起。几乎悬空在固态硬盘外壳内。上图你能看到在盖板和PCB之间有一道空隙。

广颖电通V20固态硬盘，PCB特写，正面是SF-1222主控芯片，和8颗闪存芯片

主控芯片：SandForce SF-1222TA3-SBH

闪存芯片：29F32G08AAMDB。这是Intel出品的闪存颗粒，采用48针脚/TSOP封装。容量为4GB。这款60GB的V20固态硬盘，采用16颗闪存芯片，达成60GB的容量。由于SF-1222主控无外置DRAM高速缓存机制，由此这款硬盘使用了4GB闪存容量空间作为数据读写的高速缓冲区域。

HDD参评产品简介：希捷 Barracuda XT 3TB

前不久，希捷发布了世界上第一款基于3.5英寸的3TB外置硬盘。但是这是一款隶属于FreeAgent GoFlex Desk系列的3TB外置硬盘。这款硬盘在此后一周抵达小熊在线评测室。我们对其进行了简单的测试。外置硬盘没啥意思，对其感冒的人并不多。于是乎，在那篇评测中我们将这款3TB外置硬盘进行拆解。取出盘芯，装在台式机上进行测试。许多消费者开始翘首企盼，何时我们才能迎来正宗台式机版本的希捷3TB硬盘呢？2011年3月15日，希捷正式向全世界推出了针对台式机平台的3TB容量硬盘。

希捷Barracuda XT 3TB硬盘

来自希捷的全新希捷 Barracuda XT 硬盘，向客户提供难以抗拒的全新存储选择，适用于大容量、高性能计算解决方案。与其他需要额外硬件才能访问所有容量的 3TB 解决方案不同，希捷 Barracuda XT 硬盘可以使用 DiscWizard 软件轻松配置您的计算机系统，允许它们访问全部的 3TB 容量 — 即使在传统的基于 Windows XP 的系统上也可以。更采用 64MB 高速缓存和业内全新的高性能 SATA 6Gb/秒接口进行强化，此款硬盘将进一步确立高性能、大容量台式机存储的标准。