2014年6月11日存储在线编译：芯片行业分析专家Jim Handy就3D NAND芯片的许多相关问题做了个客观公正的解读。
记者：在3D NAND中是否有采用过硅孔技术（TSVs-一项通过堆叠芯片的垂直电连接技术）？如果没有，为什么没有？
Jim Handy:3D NAND中没有采用过硅孔技术，因为这根本就没必要。过硅孔技术是用来连接多个芯片的技术，3D NAND只是一个单独的芯片。
记者：3D NAND有采用平面单元堆叠技术吗？
Jim Handy: 3D NAND使用内置横向单元技术。这跟平面单元技术有很大不同。如果你把它称作“横向”NAND而不是三维NAND会帮助你更好的理解它。
记者：平面NAND和3D NAND当中使用的闪存单元的几何形状有什么明显区别？3D NAND技术对光刻技术有什么影响？
Jim Handy: 3D NAND所采用的单元有环状单元和又扁又方的平面单元两种。很难在尺寸上作比较，因为这两者完全不一样。因为3D NAND不是采用光刻密集制程，所以厂商普遍采用相对轻松的40-50纳米制程，而主要花心思在多层上下功夫。
Jim Handy:三星宣称在技术上可以达到更高的可靠性，但是目前还没有出台相关技术标准来支持。在去年8月份有一篇文章中提到“三星正在搞3D NAND闪存芯片，你猜一下它会有怎样的技术突破”，我之前猜测是，在一个收费噱头之后会带来更低的运行功耗提高耐久度，那可是会带来两大好处：更低的功耗和更长的寿命。不过我还是不太看好它。
我们可以看到分析师的观点还是比较倾向于拿实际产品来说话。“除了三星之外我没找到看见哪家在搞第一代3D V-NAND，更有趣的是，我发现三星正在搞第二代的3D V-NAND”。
非常感谢Jim接受我们的采访。TSVs（过硅孔）技术说的是芯片间链接，单独的芯片根本用不到，我们先记住这点吧。
