今日，西部数据宣布其新型512GB，64层3D NAND芯片在日本四日市制造厂已经开始试生产，该芯片硅晶圆采用了TLC闪存设计(可实现每单元3位的存储量)。并且公司计划在2017年下半年开始大批量生产。是不是有些似曾相识，我们倒回2016年7月，西数宣称开始对采用其BiCS3技术的64层3D NAND进行试生产。那么时至2017年，两者之间有何不同?
2016年的芯片容量为256GB，今年发布的芯片容量是它的两倍。西数早期的BiCS2 3D NAND芯片，表面积为105平方毫米，48层，256GB容量。2016年从48层到64层不断加高，照说容量也应该有所提升，奇怪的是没有，可能西数的初代64层芯片采用了比48层芯片更大的光刻尺寸。
今年的这款3D NAND闪存芯片是基于垂直堆叠或西数与东芝合作称为BiCS(Bit Cost Scaling)的3D技术。
这款最新的3D NAND芯片已经用于构建口香糖大小，具有3.3TB以上存储容量的SSD和容量超过10TB的标准2.5寸SSD。
三星是第一家在2013年就宣布大批量生产3D闪存芯片的企业，它们的技术称为V-NAND，最初是32层NAND闪存堆储容量相当于东芝的48层3D NAND芯片，存储容量为128GB或16GB。
英特尔和美光也都在生产3D NAND。美光一直致力于64层3D NAND，号称一个256GB容量的芯片表面积仅为59平方毫米，是最小的64层3D NAND芯片，其晶圆体密度约为每平方毫米4.3GB容量。
小结
投资公司Stifel Nicolaus老板，Aaron Rakers罗列了以下多家供应商并对其闪存晶圆体密度进行了以下对比：
乍看起来，美光目前处于劣势，除非它的芯片尺寸小到你能在闪存驱动器上获得足够的容量，相当于竞争对手的512GB容量的芯片。这似乎不大可能。
此外，海力士正在开发72层堆叠闪存，转回去年7月份，三星宣称将在西数和东芝之前生产64层3D NAND芯片。三星的48层芯片具有256GB的容量，虽然Rakers的图中并未显示这一点，但我们预计64层芯片容量可跃升至512GB。
