IBM研究人员: 单分子系统可反复存储读取数据
ZDNet.UK ◎ 2006-08-11 存储在线
存储在线 8月11日消息:IBM在瑞士苏黎世的研究人员展示了一种能够反复存储和读取数据的单分子装置。
这种装置是一种异常简单的有机化合物,通过电脉冲能够设置成高或低阻状态。在实验室进行的500 多次试验中,它表现出了可靠地改变状态的能力。
IBM的研究人员在论文中将这称作是“单分子系统领域的一项非凡成果”。
IBM的研究人员Heike Riel向ZDNet UK表示,我们目前的工作重点是了解单分子系统设计和其电属性之间的关系,下一步我们将研究二种状态之间切换的装置。
Riel说,切换的最高速度与用于切换的装置有很大的关系,切换速度至少会高于640 微秒,但是,现在我们还不知道切换速度的上限。她表示,这取决于未来的研究。
尽管试验是在低温环境下进行的,但部分研究结果表明,在室温下单分子仍然能够切换状态。单分子的长度约为1.5 纳米,只有目前硅存储单元的一百分之一。
目前,业界普遍认为,从经济角度看,要将现有的半导体制造工艺提高到0.02微米是非常困难的,而物理极限则是0.01微米。
IBM表示,它将单分子系统看作是跨过这一门槛的一个途径。
这种装置是一种异常简单的有机化合物,通过电脉冲能够设置成高或低阻状态。在实验室进行的500 多次试验中,它表现出了可靠地改变状态的能力。
IBM的研究人员在论文中将这称作是“单分子系统领域的一项非凡成果”。
IBM的研究人员Heike Riel向ZDNet UK表示,我们目前的工作重点是了解单分子系统设计和其电属性之间的关系,下一步我们将研究二种状态之间切换的装置。
Riel说,切换的最高速度与用于切换的装置有很大的关系,切换速度至少会高于640 微秒,但是,现在我们还不知道切换速度的上限。她表示,这取决于未来的研究。
尽管试验是在低温环境下进行的,但部分研究结果表明,在室温下单分子仍然能够切换状态。单分子的长度约为1.5 纳米,只有目前硅存储单元的一百分之一。
目前,业界普遍认为,从经济角度看,要将现有的半导体制造工艺提高到0.02微米是非常困难的,而物理极限则是0.01微米。
IBM表示,它将单分子系统看作是跨过这一门槛的一个途径。
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