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三星电子计划投资$6.14亿,建新闪存芯片工厂


  DoSTOR ◎  2005-11-22 存储在线

    存储在线 11月22日消息:据外电的最新报道称,三星电子周一正式宣布,为满足不断增长的市场需求,将投资6369亿韩元(折合6.142亿美元)建立新的闪存芯片生产厂。

    三星电子表示,新工厂拟建于韩国首都首尔南部的华城,旨在生产动态随机存取存储器(DRAM)、广泛应用于个人电脑的芯片以及MP3播放器和数码相机中使用的DRAM闪存芯片,从而为进一步发展的闪存芯片市场做准备。本月初,三星电子的高层执行官并宣称,计划在2010年时实现销量和全球市场份额翻番的目标。为此,三星在截至第三季度之时,已经花费了半岛体总预算费用58亿美元中的85%的资金。

    报道称,作为全球最大的内存芯片制造商,三星电子希望能够借助扩大产能来继续保持对同类市场竞争对手的优势,并期寄通过市场上内存价格的恢复来获取更多的利润。三星电子发言人表示,根据该公司的计划,新生产线将在2006年下半年正式投入生产。此前,三星电子一高层曾表示,该公司核心产品内存芯片的市场价格将在2006年下半年恢复稳定,而NAND闪存芯片的价格的降低则会进一步加大市场对该产品的需求。

    三星电子半导体业务部门总裁黄昌圭(Hwang Chang-gyu)在今年11月初曾表示,在明年下半年趋于稳定之前,DRAM闪存芯片的降价幅度要高于前几年平均每年30%的降幅。黄昌圭预测,用于手机、数码相机和便携式音乐播放器的闪存芯片价格降幅将保持在年40%左右。

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