新型硬盘磁头TMR元件亮相 高磁阻比140%、电阻2Ωμm2
DoSTOR ◎ 2005-04-05 存储在线
存储在线 4月5日北京消息:日本产业技术综合研究所(产综研)与日本Anelva公司开发成功了一种用于硬盘磁头的低电阻、高磁阻(MR)比的TMR元件。将在2005年4月4日~8日于名古屋召开的“Intermag 2005”国际磁技术会议上进行技术发表。
对于面记录密度超过200Gbit/平方英寸的下一代硬盘,据说其磁头需要采用电阻为0.1 Ωμm2~4 Ωμm2,MR比在室温下最小要在20%以上、理想状态应当超过100%的元件。产综研与Anelva公司2004年9月曾发表过MRAM用TMR元件的量产技术。当时的电阻值约为500 Ωμm2,MR比在室温下为230%。为了用于硬盘磁头,此次将电阻降到了2Ωμm2左右。室温下的MR比为140%。
通过分两阶段成膜,同时实现了低电阻与高MR比
对于降低电阻贡献最大的是电极之间隧道阻挡层的结构改进。要想将电阻降至4Ωμm2以下,必须将隧道阻挡层厚度缩小到1nm以下。为MRAM开发的TMR元件中作为隧道阻挡层使用的氧化镁(MgO)存在着膜厚减小后,因下部电极表面发生氧化而使MR比急剧下降的问题。
此次,在下部电极上首先形成了一层薄薄的镁金属膜,然后再在这层镁金属膜上形成了MgO层。这样,即便隧道阻挡层很薄的区域,MR比的下降情况也得到了控制,由此同时实现了低电阻和高MR比。
由于成膜时能够沿用磁头生产中使用的现有溅镀设备,因此不需新的设备投资。今后,将进一步改善电阻值和MR比,同时还将对磁头所要求的各种特性进行测试。
对于面记录密度超过200Gbit/平方英寸的下一代硬盘,据说其磁头需要采用电阻为0.1 Ωμm2~4 Ωμm2,MR比在室温下最小要在20%以上、理想状态应当超过100%的元件。产综研与Anelva公司2004年9月曾发表过MRAM用TMR元件的量产技术。当时的电阻值约为500 Ωμm2,MR比在室温下为230%。为了用于硬盘磁头,此次将电阻降到了2Ωμm2左右。室温下的MR比为140%。
通过分两阶段成膜,同时实现了低电阻与高MR比
对于降低电阻贡献最大的是电极之间隧道阻挡层的结构改进。要想将电阻降至4Ωμm2以下,必须将隧道阻挡层厚度缩小到1nm以下。为MRAM开发的TMR元件中作为隧道阻挡层使用的氧化镁(MgO)存在着膜厚减小后,因下部电极表面发生氧化而使MR比急剧下降的问题。
此次,在下部电极上首先形成了一层薄薄的镁金属膜,然后再在这层镁金属膜上形成了MgO层。这样,即便隧道阻挡层很薄的区域,MR比的下降情况也得到了控制,由此同时实现了低电阻和高MR比。
由于成膜时能够沿用磁头生产中使用的现有溅镀设备,因此不需新的设备投资。今后,将进一步改善电阻值和MR比,同时还将对磁头所要求的各种特性进行测试。
相关文章
热点文章
最新更新
互动精华