TDK研制新型GMR磁头 使1英寸硬盘容量可达10GB
DoSTOR ◎ 2004-10-08 存储在线
存储在线 10月8日消息:TDK试制出硬盘(HDD)用可读取面记录密度为130千兆/(平方英寸)信号的双重旋转阀(dual spin valve)方式GMR磁头。这一密度在3.5英寸硬盘中单板双面容量相当于160GB,而在1英寸硬盘中单板双面容量相当于13GB。创下长边记录方式的面记录密度的“全球最高记录。”
在此之前,以往GMR磁头的上限为100千兆/平方英寸,要想进一步增加容量则需要使用TMR磁头等下一代磁头。TDK方面表示,“不过TMR磁头的阻抗比GMR磁头高,元件特性相差很大。由于此次试制的磁头特性接近以往的GMR磁头,因此可使用硬盘厂商所熟悉的信号处理电路。”
双重旋转阀方式容易提高播放信号幅度,但缺点是构成GMR元件的层膜厚度达50nm以上,因此难以减小播放磁头缝隙长度,从而无法提高记录密度。此次TDK通过将50nm膜厚中占12nm的反强磁膜材料的厚度减小至5nm~6nm等,从而使元件的总厚度减小到35nm。因此线记录密度比过去提高。TDK表示,打算在200.5年使该GMR磁头实用化。
在此之前,以往GMR磁头的上限为100千兆/平方英寸,要想进一步增加容量则需要使用TMR磁头等下一代磁头。TDK方面表示,“不过TMR磁头的阻抗比GMR磁头高,元件特性相差很大。由于此次试制的磁头特性接近以往的GMR磁头,因此可使用硬盘厂商所熟悉的信号处理电路。”
双重旋转阀方式容易提高播放信号幅度,但缺点是构成GMR元件的层膜厚度达50nm以上,因此难以减小播放磁头缝隙长度,从而无法提高记录密度。此次TDK通过将50nm膜厚中占12nm的反强磁膜材料的厚度减小至5nm~6nm等,从而使元件的总厚度减小到35nm。因此线记录密度比过去提高。TDK表示,打算在200.5年使该GMR磁头实用化。
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