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三星发布4Gbit NAND闪存 容量全球最大


 ◎  2003-11-18 存储在线
    韩国三星电子在“ISSCC 2004”国际半导体会议上,将发布通过采用2bit/单元的多值技术和最小加工工艺90nm制造技术实现的4Gbit NAND型闪存EEPROM(演讲序号:2.7)。作为单一存储LSI,这一容量为目前全球最大。

    写入时的数据传输速度为1.6MB/秒。工作电压为+3.3V。通过将行解码电路配置于存储单元阵列的中间部位,缩短了字线上升时间,降低了耦合噪音(Couple Noise)。

    随着容量的提高,需要将多个存储单元之间的阀值电压的不稳定性控制到最小程度。因此三星此次不仅缩小了浮游栅多晶硅的厚度,而且还在删除数据后的写入方法上进行了改进。

    三星此次发表的NAND型闪存EEPROM的特点是能够用同一芯片(掩膜)实现大容量版(2bit/单元)和高速写入版(1bit/单元)两种规格的产品。可以用引信或垫板耦合开关(Pad Bonding Switch)切换成容量2Gbit(1bit/单元)的高速写入式NAND型闪存EEPROM。此时写入速度为7MB/秒。

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