三星电子日前宣布开发所谓世界上最快的SRAM，基于DDR3 SRAM技术。三星表示72Mbit DDR3 SRAM采用90nm工艺，使用常规的248-nm光刻技术。

    DDR3 SRAM主要针对高端服务器，运行速度为1.5GB/s，功耗仅为1.2V。基于突破性的Cell技术，芯片大小为0.79平方微米。三星已经开始出样32-Mbit DDR3 SRAM，72Mbit DDR3 SRAM估计将在2003下半年量产。