据eNews专稿：随着消费性电子产品和资讯家电(Information Appliance，简称IA)应用的出现，系统产品对内存技术的要求也日益趋向苛刻，要求新一代内存具有低耗电、低成本、拥有不同的内存特性等的特色内存技术。在这种情况下，越来越多的追求不同市场划分的新内存技术在陆续推出。

    　　日本两大半导体生产商东芝和NEC，前段时间还宣布将合作开发下一代内存芯片MRAM，致使新内存技术的战火又一次被点燃。

    　　新内存技术商机初现

    　　比尔?盖茨曾经在1981年的时候，认为只需要64K就可以足够满足电脑对内存的需求。然而到了目前，PDA与MP3对内存的需求早已经突破了64MB。根据有关研究机构的推断指出，到2004年时移动电话平均使用快闪内存的容量将会突破100MB。由此可见，产品结构趋势的变化对内存的影响，早就已经不是当初所能够想像得到的了。

    　　一般的数字化产品经常会需要不同特性的内存产品，其中以对DRAM、SRAM和Flash快闪内存的需求最为普遍。至于一个产品需要具有哪些特性的内存，以及容量的大小，则根据产品结构的不同而做出选择。以电脑来说，快闪内存是用来储存BIOS的，而SRAM和DRAM也因为x86框架的缘故而需求量比较大。至于以嵌入式软件为主的产品，就不需要太大的内存容量。不过，随着目前数字化产品和IA类家电产品逐渐走向资讯化、多媒体化、通讯化、网络化和移动化，对内存的需求也产生了不同的变化。

    　　以移动电话为例，GSM手机的内存是以SRAM和快闪内存为主的。不过，当进入到智慧电话(Smart Phone)及第三代移动电话(3G)之后，DRAM也将会成为移动电话不可或缺的内存。在这里所延伸出来的问题是，如何发展出具有综合能力而且高速不挥发的内存，将比较能够符合今后的市场需求。而FeRAM、MRAM和OUM，也就成为了业界努力的方向。

    　　三种内存技术的优势与机会

    　　为了满足内存多样化、小型化、高密度化、低价化与客制化的需求，目前已经有越来越多的快闪内存生产商投入到了新一代内存技术的开发中。其中，最引人注目的就是以日本企业Rohm、NEC、东芝、富士通、日立、三棱等为首的FeRAM；以IBM、Infineon、摩托罗拉、三星、东芝、NEC、索尼等提出的MRAM；以及Intel、ST Microelectronics力推的OUM等三种。

    　　1、MRAM　MRAM是一种非挥发性的磁性随机存取内存，储存资料的方式与硬盘类似，是以使用磁性方向为依据的。此外，MRAM还拥有DRAM随机存取的特性，SRAM具有高速读取写入的优点，而且写入次数可以达到无限次数，更重要的是MRAM的耗电量也不太大。一句话，MRAM含有快闪内存、DRAM、SRAM和EEPROM的综合能力。这也是为什么许多厂商都投入到MRAM的原因。不过，MRAM也面临着一个巨大的挑战，那就是如何使磁电阻材料与标准CMOS设计技术相容。

    　　摩托罗拉在2002年6月，利用0.6μm制程做出了读写时间为50ns、容量为1MB的MRAM测试芯片的，摩托罗拉计划将在2004年投入该产品生产，并将制程提高到0.18μm。东芝和NEC计划到2005年时，投入超过100亿日元的资金来发展MRAM生产技术，最初生产的产品容量定在256MB，来取代DRAM的主流市场地位。IBM与Infineon也计划到2004年时，让MRAM走上商品化的道路。综合这些情况看来，MRAM如果能够更进一步达到低成本的目标，那么取代Flash和DRAM的现有市场，将会是一件并不太困难的事。

    　　2、FeRAM　FeRAM在目前的新一代内存中是最早投入生产的技术。FeRAM的构造与DRAM相类似，不过FeRAM由于强诱电体材料的合成较为困难，所以在大容量和低价化的方面遇到的障碍要比DRAM高。富士通是现阶段全球FeRAM的领先厂商，富士通将FeRAM应用在IC卡与智能卡上，并利用FeRAM的读入电压只需要+3V，以及同Logic电路混合制程比较容易的优势，对EEPROM构成了相当大的威胁。如果FeRAM能够用更为先进的制程技术，那么还将会突破体积过大的缺点。

    　　目前，FeRAM并不打算以取代DRAM和Flash市场为主要目标，而是一方面积极稳住IC卡市场，另一方面凭借现有的优势努力进攻比较容易取得的EEPROM市场。不过，随着其它内存技术的不断进步，FeRAM的下一步将主要突出其高速读入、非挥发和低耗电特性的移动化市场。现在，富士通和NEC已经建立起了这样的市场策略模式，并积极地向这个方向努力前进。

    　　3、OUM　OUM是利用Ge、Sb与Te等化合物为材料制成的薄膜来储存资料的。由于OUM是通过电晶体控制电源，使其产生相变方式来储存资料，所以在读写速度和次数上，都明显落后于MRAM和FeRAM。但OUM的体积只有MRAM及FeRAM的三分之一，并且OUM具有容易与Logic电路整合的优势，使得Intel比较看好OUM在可携式产品方面的发展潜能。

    　　OUM技术是在1970年由Intel的创始者摩尔提出来的。30多年过去后，Intel已经利用0.18微米开发出了4 MB的测试芯片。今后，Intel将使用0.13微米来制造OUM。从Intel积极介入到OUM的形势来看，OUM是不可忽视的新一代非挥发性内存技术。

    　 新内存技术的出路

    　　近几年以来，日本的企业不断地退出DRAM市场，或者进行了重组。从Elpida的成立，以及最近日立和三棱合并成立Renesas公司，甚至三棱将DRAM卖给Elpida的过程中都可以看出，形成规模生产的商业模式已经成为了DRAM生存的必要条件。

    　　另外一方面，由于新时代的来临，新一代内存的崛起将预示着内存即将进入到下一个新的战场。有关研究机构指出，下一代内存技术应包括非挥发、高密度、高性能与易同其它类型的内存整合的特性。为了达到这样的要求，许多大厂商正向内存制程开发、电路设计、强化应用技术开发的方向前进。这样大的模式，将会使内存技术在今后采用不同结构和材料的情况下，产生不同内存的需求特点。虽然能够跳出目前内存的泛用化和规模经济的产业型态，但想要大规模的取代目前的DRAM、SRAM、Flash，还是会面临着巨大的挑战。

    　　一个内存的基础技术和应用市场的确立，通常要经过10多年时间的市场洗礼。现在大厂商们的合作和联盟，就是希望能够改用并行基础技术与应用技术的方式，缩短新内存进入商品化市场的时间。这样做虽然能够达到缩短上市时间的目的，但如何不再重新走回以量取胜的商业模式，甚至稳固客制化的营利模式，开发更多新的应用市场，将是当前的当务之急，也是新一代内存技术的出路。