存储在线 5月24日北京消息：TDK将于2006年初量产采用TMR（隧道式磁阻）元件的垂直磁记录方式硬盘磁头。这是该公司在2005年5月18日～20日举办的技术展----“2005年TDK技术论坛”上宣布的。 
  
    TDK在读取磁头上使用的TMR元件采用了2个磁性膜将厚1nm的三氧化二铝绝缘膜夹在中间的构造。磁性膜材料没有公布。读取数据时决定读取灵敏度高低的MR（磁阻）比为20%～30%，相当于读取磁头过去使用的GMR元件的1.5倍～2倍。 
  
    希捷科技已经开始投产采用TMR元件的硬盘磁头。不过，记录方式则是按照沿平行于盘片表面方向进行磁化的水平磁记录方式。而沿垂直于盘片表面方向进行磁化的垂直记录方式硬盘，虽说东芝和日立全球存储科技等公司已经宣布投入量产，但读取磁头没有使用TMR元件，而是使用现行的GMR元件。 
  
    TDK表示，“计划2006年初开始量产”这种实现了“垂直磁记录+TMR读取”方式的硬盘磁头。该产品瞄准的是便携终端用1英寸硬盘或尺寸更小的微硬盘市场。关于这次的硬盘磁头的面记录密度，该公司表示“当前的目标是200Gbit/平方英寸，将来还要实现300Gbit/平方英寸的面记录密度”。在展会现场，TDK使用这种硬盘磁头，进行了150Gbit/平方英寸的读写演示。