Toshiba和SanDisk，本周表示他们已经完成了垂直堆叠3D NAND闪存设备的研发项目。

两公司研发的BICS NAND闪存将会在2016年大批量生产，而新的固态存储设备性能和可靠性将会更强。

Toshiba的三维BiCS NAND闪存结构在一个2bit/cell 128Gb(16GB)的设备中堆叠了48个字线层,通过使用更薄的制程技术令每台设备的三维结构增加大量的记忆层，而不是缩减每个单元的尺寸。

因此，除要求个别的小单元外,3D NAND允许更大面积的位密度(因而不需要高端制程)。3D NAND 闪存的总收益在业内众所周知：低成本(一旦产量达到商业可行性)，高性能和可靠度。

Toshiba和SanDisk研发的 BiCS 3D NAND架构的独特性，如U形NAND字符串，使其具有最大的阵列效率。后者的意思是目前的BiCS 3D NAND存储芯片将会比其他竞争对手生产的3D NAND闪存设备更小更便宜。

新的BiCS 3D NAND闪存提高了写入和擦除次数，比二维NAND闪存写入速度更快。

由此可想而知，基于3D NAND固态硬盘的应用程序会比超薄制程基于二维NAND 的固态硬盘更加可靠。

“我们很荣幸地宣布，与Toshiba合作研发，拥有48层架构的第二代3D NAND研发成功(Toshiba/SanDisk研发的第一代3D NAND主要用于内部测试和开发作业)，” SanDisk 存储技术执行副总裁Dr. Siva Sivaram表示，“我们利用第一代3D NAND作为学习工具研发而成的商用第二代3D NAND,相信会为我们的客户带来强有力的的存储方案。”

2016上半年，日本Mie辖区四日市拆除后新建的Fab2一旦落成，Toshiba和SanDisk就会开始生产 BiCS 3D NAND存储器。新型存储器将用于可拆卸产品到企业固态硬盘的广泛方案中。

Samsung生产高容量3D V-NAND存储器到现在已有1年半之久。该公司提供各种基于3D V-NAND的产品。近期Apple开始在新的苹果电脑和笔记本中使用Samsung基于3D V-NAND的固态硬盘。