IBM的全闪存品牌FlashSystem已经从840/V840升级到了900/V900，因其与美光的紧密合作关系该产品采用的是MLC闪存，从而在性能和可靠性方面都有了很好保证。

V9000我们之前我们介绍过了，本以为作为840升级版的会是9000，事实证明它少了个数字0，变成了FlashSystem 900。

在一份公开文件中IBM对采用了FPGA芯片的控制器设计，交叉背板，硬件纠错和MicroLatency闪存模块这几点着重做了介绍。

文件提到新产品可以“在更小的机架空间里提供四倍于EMC XtremIO闪存产品的容量”，很显然IBM新产品的宣布为全闪存阵列市场增加了一位新的有力竞争者。

搜集公开的数据后我们在下图中做一个简单的对比：

FlashSystem 840 与 900 对比

首先最明显的我们看到V900增加了40%的可用容量，从840的41TB变成现在的58TB。但是读延迟稍微有所增加，从原来的135微秒增至155微秒，读带宽也从8GB增至10GB。

在4K数据块下两款产品都保持了110万读取和60万写入IOPS。

新旧两套产品在性能上没有较大变动，主要就是增加了容量。

IBM与美光付出了许多努力并取得了卓越成效，最终把原来的eMLC替换成了MLC NAND，它有着较低的基础性能表现和高可靠的特性。

美光把修整过的闪存介质提供给IBM，IBM把工程特性加入到控制技术中，这样一来，新系统的就能在保持原有性能表现的同时又有着更高的可靠性(目前尚没有看到耐用性方面的数据)，当然还有更大的容量空间。

840是一年前与V840一起推出的产品，随后在2014年8月，又推出了数据服务相关的IBM SVC。

在840推出一年后的今天又有了900，这一系列产品更新速度很快。

IBM FlashSystem V9000 与 V840

在V9000与V840的比较中我们看到，可用的内部空间从320TB增长到了456TB，而性能参数上，延迟，IOPS和带宽没有任何改动。

简而言之，新旧系统的性能没有什么差别，区别主要就是容量的提升。

随着对美光闪存的采用以及与美光的战略合作关系的推进，未来或许会推出采用3D NAND或者TLC NAND介质的存储产品，当然，这也得仰赖美光在相关技术上研发取得新的重大发展才行。

我们认为类似这样的闪存介质存储器还会紧耦合到服务器和操作系统中来，对于IBM来说这就可能会涉及到POWER服务器，因为他已经没有x86服务器技术了。

目前尚没有价格信息，我们也不能提供任何关于价格和性能比率信息，跟IBM渠道部的人聊聊XtremIO 你可以得到一张折扣清单。