英特尔将推出32层256Gb 3D NAND闪存颗粒

网易数码 发表于:14年11月24日 10:00 [来稿] 存储在线

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[导读]在20号下午的投资者网络会议上,英特尔透露其将在明年下半年提供基于3D NAND的SSD产品,技术则是来自该公司与镁光(Micron)在闪存合资企业。据悉,其能够在单个MLC核心“平面”(2D)上堆叠32层、共计 256Gb(32GB)的容量。如果采用3-bit(TLC)方案,那么每单元的容量还可以进一步提升至384Gb(48GB)。

在20号下午的投资者网络会议上,英特尔透露其将在明年下半年提供基于3D NAND的SSD产品,技术则是来自该公司与镁光(Micron)在闪存合资企业。据悉,其能够在单个MLC核心“平面”(2D)上堆叠32层、共计 256Gb(32GB)的容量。如果采用3-bit(TLC)方案,那么每单元的容量还可以进一步提升至384Gb(48GB)。


英特尔非易失性存储事业部总经理兼高级副总裁Rob Crooke表示:3D NAND有望在接下来的几年时间里催生10TB级别的SSD产品,甚至封装厚度只有2mm的1TB存储(非常适合移动设备)。

Crooke指出,3D技术的最大特色是可以在成本上有重大突破,不过英特尔可能不会亲自制造3D NAND——即使该公司又能力,但也只会在觉得有意义的时候才会自行生产。

[责任编辑:朱朋博]
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