2014三星固态硬盘全球峰会召开 推全新品牌固态硬盘

任新勃 发表于:14年07月01日 11:01 [原创] 存储在线

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[导读]2014年7月1日三星电子在首尔举办“2014三星固态硬盘全球峰会”,作为全球领先的存储品牌三星电子,此次峰会中发布了基于3D V-NAND闪存技术的850PRO固态硬盘(SSD)。

DOSTOR首尔现场报道:2014年7月1日三星电子在首尔举办“2014三星固态硬盘全球峰会”,作为全球领先的存储品牌三星电子,此次峰会中发布了基于3D V-NAND闪存技术的850PRO固态硬盘(SSD)。

三星850PRO将于7月起在全球53个国家和地区上市。将提供128GB、256GB、512GB和1TB等不同存储容量的版本。 为用户带来全新的固态硬盘性能体验。

据Gartner近期的一项研究数据显示,全球固态硬盘市场规模预计将从2013年的110.4亿美元发展到2014年的144.7亿美元,2017年则将达到235.4亿美元。 

三星3D V-NAND闪存采用了创新的的垂直设计制造。其垂直架构堆叠在高达32cell层通过不减少cell的长度和宽度,保持外形不断缩小。这种架构通过在更小的空间实现更高的容量和更高性能。三星的3D V-NAND技术与传统的平面NAND架构比较,实现了密度的极限突破。

“ 三星电子此次推出全新850 PRO V-NAND固态硬盘,旨在推动固态硬盘领域的技术革新,并以其卓越的耐用性、高性能和高能效,引领高容量固态硬盘市场的发展。”  三星电子存储事业部品牌存储营销部金彦洙专务指出:“我们将致力于为客户提供尖端V-NAND高性能固态硬盘,助力创新性计算环境的建立。”

此次推出的850 PRO固态硬盘,基于三星V-NAND专利技术,适用于高端个人电脑和工作站。三星的V-NAND闪存采用垂直单元结构,不仅突破了具有平面架构的传统闪存在容量上的局限性,更能大幅提高产品的读写速度、耐用性和能效。

三星850 PRO固态硬盘顺序读写速度最高可分别达到550 MB/s和520 MB/s,其而最大随机读写速度则分别100,000IOPS和90,000IOPS。采用SATA III(6Gb/s)接口,达到固态硬盘的最高性能水准,更具有卓越的耐用性。

该固态硬盘还具有“动态散热保护”功能,能在工作中保持适宜环境温度,避免产品过热造成的数据损失。

随着越来越多的消费者开始使用固态硬盘,三星电子希望凭借此次推出的全新 V-NAND固态硬盘的卓越性能,进一步推进品牌固态硬盘市场的发展。

更多详情,敬请关注www.samsung.com/850pro,DOSTOR也将会带来更多的现场报道。

[责任编辑:任新勃]
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