三星已经决定为其专门面向数据中心使用环境的SSD产品选择成本低廉的TLC NAND芯片，但这样的成果能否得到广大用户的认同？

通过TLC闪存芯片，制造工厂能够利用单位硅晶片生产出更大的闪存存储容量，因此其生产成本也要低于MLC技术方案。三星方面表示，TLC技术能够带来“比2-bit NAND闪存组件高出30%的制造生产效率”。

三星用于打造制程节点的TLC SSD据称只能提供500次全盘写入的原始工作寿命——所谓全盘写入，是指写满容量再全部擦除的完整过程。数据中心当然不希望使用这类每天全盘写入一次、 十八个月后就会达到寿命上限的存储产品——除非由其打理的应用程序极少涉及写入操作，在这种情况下其工作周期可达到最高五年。

三星表示新产品采用的是10纳米级工艺制程节点，这意味着单元几何尺寸低于20纳米而高于10纳米。根据我们得到的消 息，其确切数字为19纳米。三星在发布的公告中指出，这款闪存驱动器主要面向服务器以及数据中心使用环境，并可用于社交网络、网络浏览以及电子邮件等工作 负载;总之，适合写入操作比例较低的读取密集型应用程序。

三星电子内存营销与市场推广执行副总裁Young-Hyun Jun对这款设备的发展前景充满信心，并表示：“我们预期着SSD市场的发展能够从这款新型SSD产品身上得到新的动力，它能够为数据中心的投资效率带来 显著改进、并将成为今年晚些时候SSD设备在IT系统中实现全面商业化的坚实基础。”

三星公司在这份公告中还指出：“三星希望将3-bit SSD引入数据中心环境的作法能够迅速成为主流方案，并取代原有的2-bit SSD市场。”

对以上表述加以分析，我们可以理解为TLC闪存在企业级环境下的发展轨迹其实非常缓慢，而且至今仍未能出现显著改善。

这款于新闪存驱动器提供240GB、480GB以及960GB三种容量选择，且全部配备6Gb每秒SATA接口。其性能参数如下所示:

• 随机读取IOPS为90000;
• 连续随机写入IOPS为14000，这样的速度表现实在不算出色、但也在意料之中;
• 连续读取带宽为530MB每秒;
• 连续写入带宽为420MB每秒;
• 写入寿命为……

没错，最后一点是我们故意列出的。三星并没有向外界透露任何关于这款PM835T产品的寿命周期。其随机读取性能与连续读取、写入数据都算得上优秀;相比之下随机写入性能较为疲软，但这一弱项也是该款驱动器的特色、尚算是在意料之中。

三星PM835T TLC SSD

SMART Storage Systems估计采用10级别制程节点（即低于20纳米且高于10纳米，一般来说应在17纳米到19纳米之间）的产品，其全盘写入/擦除周期上限约为 500次;也就是说大家可以将驱动器容量写满500次，而后设备将出现损坏。根据SMART方面的说法，其Guardian技术能够将全盘写入周期提升至 15000到20000次，相当于在每天进行十次全盘写入的情况下正常工作五年。

一般来讲，改善TLC SSD工作寿命的方式分为两种：通过超额配置机制利用未使用的单元替代已经损坏的闪存单元，同时采用数字信息处理等更为科学的位值检测技术。另外，大家也 可以将写入操作均匀指向至闪存驱动器的各个单元之上。三星表示他们将使用自主研发的控制器方案，但并没有具体透露该方案如何改进PM835T产品的工作寿 命以及确切的使用寿命周期。

除非三星能够针对上述问题给出明确答案，并保证产品在工作寿命方面能够满足大部分用户的需求，否则利用TLC驱动器取代MLC在数据中心内地位的言论将只是一场虚妄。

TLC驱动器已经出现在PC以及客户机SSD领域。三星曾于2012年10月推出过840设备，而后又于2013年7月将840 EVO投放市场。

三星方面表示，其840 EVO客户机TLC驱动器采用mSATA外形尺寸并提供三年质保服务，由此看来PM835T的工作寿命应该也至少能够达到三年。

目前PM835T已经处于批量生产阶段。根据我们得到的消息，“面向大规模数据中心的3-bit MLC NAND SSD产品将在本季度晚些时候正式被交至客户手中。”

这是否意味着三星已经为其全新TLC闪存驱动器特色好了客户群体？这些客户又是否与Facebook、雅虎以及谷歌规模相当？我们认为答案应该是肯定的。

目前我们还不清楚该产品的具体价格信息，惟一掌握的情况是其将以消费级SSD产品作为定价基准。