三星在本周宣布将量产20nm 4G DDR3内存颗粒，体积更小，性能更高。DDR3可用在台式机，笔记本电脑，超极本和平板电脑，三星表示该产品会让消费者既省电又省钱。

三星新20纳米DRAM

半导体工艺生产当中，晶体管越小，单位体积内容纳的晶体管越多，电路越小，生产成本越低。“我们相信用户会显著降低拥有成本”三星发言人说。

从2009年的50nm制程技术到2010年的30nm，再到2011年25nm，直到今天的20nm制程技术，在过去的五年中三星的DRAM晶体管技术发生了翻天覆地的变化。

虽然NAND闪存已经率先走向个位数纳米工艺，（虽然在19nm水平呆了一段时间） ， 但是DRAM仍然保有相当的竞争力。

NAND闪存不同大小的模具

在DRAM当中，每个单元都有一个电容器，并且通过晶体管彼此连接，而NAND中每个单元只有一个晶体管。

三星表示能够完善其DRAM的设计和制造技术，并提出了一个“双成型技术和ALD。 ”在微电路，如DRAM或NAND闪存，高密集的纳米结构是必需的。ALD是使薄膜具有精确均匀沉积的纳米结构技术。双成型技术，简单地说，是一个加倍功能模块数量的方法。

三星表示，双重图形技术是一个具有里程碑意义的技术。通过使用当前的光刻设备来生产20nm的DDR3，它已经找到了一个生产下一代10纳米级DRAM的核心技术。

三星还成功做出超薄介电层的单元电容器，具有前所未有的均匀性，带来更高的性能。

采用新的工艺，三星的4Gbit DDR3的20nm比25纳米DDR3提高了30%的生产效率，比30纳米级DDR3提高了超过两倍的生产效率。

“新的20纳米4GB DDR3比起之前的25纳米制程技术的DDR3可以节省25％的电量 ”三星表示。

三星已经开始提供新的DDR3芯片给了一部分厂商，预计将在今年晚些时候推出的相关产品。