三星推出低功耗DDR4存储芯片 或应用于Galaxy S5

中国网 发表于:14年01月02日 10:00 [综述] 存储在线

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[导读]据外国网站12月30日报道,三星公司宣布将推出首款1GB低功耗DDR4内存芯片,这表示即将推出的Galaxy S5手机将会拥有4GB RAM。

据外国网站12月30日报道,三星公司宣布将推出首款1GB低功耗DDR4内存芯片,这表示即将推出的Galaxy S5手机将会拥有4GB RAM。

更多的RAM空间能够帮助手机更高速的运转应用程序,支持更高清的显示器以及延长手机电池的寿命。尽管新品采用的硅材料比以往的芯片节能40%到60%,但要向更高的频宽转变,DDR(双倍速率SD RAM)的标准也必须在DDR3芯片的基础上再提升50%。

三星表示,在2014年公司将会推出更多适用于新型RAM的产品;而对于产品的受众群,三星方面也是目标明确。由于内存拥有承载高像素这一至关重要的作用,因此这项科技将会应用于拥有超高清显示器的笔记本电脑、智能手机以及平板电脑当中。

在2014年2月的全球移动通讯大会上,我们或许可以看到首次搭载新型芯片的Galaxy S5。

[责任编辑:朱朋博]
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