据CNET引《日经新闻》报道，日本、美国的20多家芯片公司组成研发联盟，将共同开发下一代“磁随机存取存储器”（MRAM），有望替代目前的存储方案——DRAM（动态随机存储）。

据悉，包括东京电子（Tokyo Electron）、信越化学工业（Shin-Etsu Chemical）、瑞萨电子（Renesas Electronics）、日立等日本公司，以及美国芯片巨头美光科技在内的20多家芯片厂商，计划在明年2月份启动一项MRAM存储技术研发项目。上述公司将派几十名研究人员进驻日本东北大学开展这项新技术的研发。

与DRAM存储技术相比，MRAM耗电量仅为DRAM三分之一，但读写速度却达到前者十倍。从理论上来讲，MRAM存储技术优势使其更适合于应用到下一代智能手机和平板电脑。不过是否真正得以实现还有待进一步观察。报道称，预计MRAM存储技术被大规模应用还需等到2018年。