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TMS

IBM的TMS，也就是原来的Texas Memory Systems，人们可能更熟悉这个名字。它现在成为了IBM存储的闪存部门，继续供应其PCIe RamSan 70和网络化RamSan 700及800系列产品，它们大多采用光纤通道连接。IBM对TMS的整合貌似比对XIV的整合快点。

主要是有整合的机会，尤其是和IBM集成设备的纯净系统系列。PCIe RamSans很可能成为商品产品，被用于共享闪存阵列，体现闪存存储的价值，而那也是TMS创立的初衷所在。而700和800系列产品估计会搭配16Gbit/s的光纤通道，成为附加品，这估计会让Emulex很兴奋。

缓存的需求要比服务器闪存卡的需求大。根据我们掌握的消息，增加的闪存软件能力需求，比如直通式内存访问(Fusion-io)是很低的。缓存软件会被整合到监管程序或操作系统中，作为独立的产品存在可能不再有吸引力了。

我们知道Storwise V7000产品加入了TMS闪存到其控制器中。这看起来像是NetApp的FlashCache。TMS的闪存还可能被作为存储内存，作为服务器的DRAM，作为存储层和缓存媒介，或许还可能出现主板上。

TMS已经和IBM的EasyTier进行了整合，它的自动数据层和活动软件以及TMS的闪存可以被整合到IBM的存储架构中，作为一个EasyTier存储层。我们相当确定这能实现。这样的整合可以被集成到TMS闪存附件上，安装到存储阵列的控制器上或硬盘机架的前面。我们还大胆地推测，那可能是服务器和IBM网络硬盘阵列直接的网络阵列，通过EasyTier提供单一的逻辑层环境。或许，在服务器中使用TMS RamSan卡。

TMS和DS8000的整合非常有前途。

让我们再展望下未来，闪存可使用5年，然后就因为NAND性能下降及寿命减少而不能使用了。原始的TLC(三层单元)闪存在寿命终止之前可以被写入500次，这甚至可以说，TLC还没开始真正发挥其企业级存储媒介的作用之前就死掉了。但是我们及与我们对话的伙伴都不同意这种说法。TMS一直在积极寻找NAND之后的技术，而被IBM收购也表示这种探索前进了一步。我们了解到，TLC还可以作为写一次，读多次的存储媒介。

我们的想法是，IBM收购了TMS，要开始对其产品进行整合开发，希望在明年，我们能看到一些“有意思”的东西。

SMART

SMART宣称要支持19nm闪存，被称为1X NAND。目前，它使用源于东芝的24nm NAND，那里也是19nm材料诞生的地方。小的NAND比大的NAND速度要慢，寿命也短，在寿命用尽之前能支持的P/E(程序/擦除)循环数量也少。

Mike Lakovicz是SMART公司的销售和市场部门副总裁，在磁盘领域经验丰富。他表示公司的Guardian闪存控制器软件有许多算法，包括信号处理，像被苹果收购的闪存控制器初创厂商Anobit那样。这能够增强消费级24nm NAND的寿命达14倍。另外，在未来还可以扩展以实现50X原始NAND产品的寿命提升。

我们希望SMART的19nm Optimus NAND产品能在2013年第一季度出现。目前的Optimus MLC NAND产品的性能水平——100000的随机读取IOPS，50000的随机写入IOPS，500MB/sec的连续读写带宽——这样的性能，新产品也能达到。还会有不同等级的版本，有的使用SATA接口，有的使用SAS。

24nm NAND产品的基本PE循环数大约为3000。SMART现在依然在评估19nm产品的PE循环率，不过估计会下降到2000的水平。14X改进后的数值为28000，还是低于24nm Optimus产品40000的PE循环率。但是，根据Lakovicz的说法，过度自动精简配置可能会改善目前的优化水平，延长寿命。而我们则认为，Guardian的一些算法会做调整。

X-IO已经选择目前的Optimus SAS硬盘作为闪存存储，应用到其Hyper ISE 7系列存储产品中。在这里我们顺便说一下，这真是一个不错的OEM协议。

至于TLC闪存，Lakovicz指出Guardian的预期50X原始PE循环可以得到加强，实现25000的PE循环。这对于潜在的用户来说已经够了。这与上文提到的TMS对于TLC的悲观态度形成了对比。

总体上来说，今年的欧洲存储网络大会产品趋向是磁带向着iSCSI前进，闪存和对象存储也在大力发展。但是比较讽刺的是，磁带行业进行了组建活动归档联盟那样的努力来提升人们对磁带归档能力的认识。磁带没有像闪存和对象存储那样的让人惊呼的特点。磁带可以出现那样的亮点，并重新受到人们的青睐吗?LTFS也许会做出点贡献吧。