闪存中的SLC、MLC和TLC

整理自网络 发表于:12年10月25日 15:27 [转载] DOIT.com.cn

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[导读]闪存将数据存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内,在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中,每个单元只存储1比特的信息。而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储1比特以上的数据。

SLC

传统上,每个存储单元内存储1个信息比特,称为单阶存储单元(Single-Level Cell,SLC),使用这种存储单元的闪存也称为单阶存储单元闪存(SLC flash memory),或简称SLC闪存。SLC闪存的优点是传输速度更快,功率消耗更低和存储单元的寿命更长。然而,由于每个存储单元包含的信息较少,其每百万字节需花费较高的成本来生产。由于快速的传输速度,SLC闪存技术会用在高性能的储存卡。

MLC

多阶存储单元(Multi-Level Cell,MLC)可以在每个存储单元内存储2个以上的信息比特,其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶(即多个电压值),如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特,MLC闪存可降低生产成本,但比起SLC闪存,其传输速度较慢,功率消耗较高和存储单元的寿命较低,因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡。另外,如飞索半导体的MirrorBit®技术,也是属于这一类技术。

TLC

三阶储存单元(Triple-Level Cell,TLC),这种架构的原理与MLC类似,但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢,寿命也比SLC和MLC短,大约500~1000次。

[责任编辑:黄辉]
大黄
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